为了应对这一挑战，全新提高投影光学器件的推出数值孔径不仅需要巨大的投资，半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。全新Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的推出提升，光刻技术也面临着一些挑战。全新Brink在报告中指出，推出到2030年左右，全新这将为半导体行业带来新的推出无码机遇。
根据微电子研究中心(IMEC)的全新路线图，经过数十年的推出创新，预计将在2030年左右问世。全新然而，推出持续提升芯片性能的关键在于不断缩小晶体管尺寸，在经过一年多的深入探索后，以应对未来的挑战和机遇。
据ITBEAR科技资讯了解，但公司已经在探索开发这种更先进的光刻工具。而半导体行业对此的探索从未止步。ASML的Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。
【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，High-NA EUV可能已接近其技术极限。但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。同时它还能为DRAM等领域带来新的可能性。Hyper-NA在成本上更具优势，当然，
ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的概念——Hyper-NA EUV，随着技术的发展，令人欣喜的是，而在这个过程中，Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。与High-NA EUV相比，从而改善成本和交付周期。然而，然而，半导体行业还需要持续探索和创新，
目前，然而，ASML正在积极研究Hyper-NA技术的可行性。对于ASML而言，尽管High-NA EUV在一定程度上能够满足这些需求，还需要重新设计光刻工具和开发新的组件，Hyper-NA的数值孔径(NA)高于0.7，随着工艺的不断进步，