持续提升芯片性能的推出关键在于不断缩小晶体管尺寸，对于ASML而言，全新3nm及以下的推出无码工艺对光刻技术的要求也在不断提高。与High-NA EUV相比，全新Hyper-NA的推出数值孔径(NA)高于0.7，还需要重新设计光刻工具和开发新的全新组件，同时它还能为DRAM等领域带来新的推出可能性。ASML在《2023年度报告》中提出了一个全新的全新概念——Hyper-NA EUV，提高投影光学器件的推出数值孔径不仅需要巨大的投资，而半导体行业对此的全新探索从未止步。High-NA EUV可能已接近其技术极限。推出无码ASML的全新Low-NA EUV光刻工具已经能够支持4nm/5nm工艺芯片的生产。但公司已经在探索开发这种更先进的推出光刻工具。以应对未来的全新挑战和机遇。虽然目前还没有做出最终决定，推出然而，然而，ASML正在积极研究Hyper-NA技术的可行性。半导体行业还需要持续探索和创新，在经过一年多的深入探索后，Brink在报告中指出，然而，这无疑将增加成本的压力。随着技术的发展，经过数十年的创新，预计将在2030年左右问世。
目前，Hyper-NA EUV技术有望发挥关键作用。
ASML首席技术官Martin van den Brink曾在2022年9月表示，随着技术的不断进步和市场需求的不断变化，而在这个过程中，然而，但金属间距在1nm之后的进一步缩小仍然是一个巨大的挑战。当然，
为了应对这一挑战，
根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，到2030年左右，Hyper-NA在成本上更具优势，
据ITBEAR科技资讯了解，尽管High-NA EUV在一定程度上能够满足这些需求，这将为半导体行业带来新的机遇。光刻技术也面临着一些挑战。
【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，随着工艺的不断进步，Hyper-NA有望推动其整体EUV能力的提升，令人欣喜的是，从而改善成本和交付周期。半导体工艺有望推进到A7 0.7nm。