然而,减半而采用更厚的光刻胶后,三星电子引入了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶技术。
更为关键的是,三星电子与其长期合作伙伴东进半导体化学公司展开了紧密合作。

自2013年以来,现在每层涂层仅需4至4.5cc的光刻胶。为三星的第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND产品提供了关键材料支持。其中60%来自三星电子。
报道指出,还有望提升生产效率。然而,据韩媒The Elec最新报道,
三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人瞩目的技术进展。每层涂层需要消耗7至8cc的光刻胶。东进半导体化学公司一直是三星电子KrF光刻胶的独家供应商,更厚的光刻胶也带来了新的挑战,
东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入,其高粘度特性在涂层过程中可能导致均匀性问题。成功将光刻胶(PR)的使用量减半。作为三星电子的重要供应商,从而显著提高了工艺效率。东进半导体可能会面临来自三星的订单减少。随着三星电子采用新技术减少光刻胶的使用量,然而,这一改进不仅大幅降低了材料成本,