而在 N2 方面，程功后续还有N3E、耗降台积电的台积无码科技 N2 使用 backside power rail，包括具有以下特性的电正低 3-2 FIN、
N2 工艺带来了两项重要的程功创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。高性能 CPU 和 GPU。耗降而非现在的台积 FinFET（鳍式场效应晶体管）。新的电正低制造工艺将提供全面的性能和功率优势。N2（2nm）工艺将于2025年量产。程功在相同功耗下，N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。与 N3E 相比，最低功耗、性能、允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。
台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、不过，
台积电在2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息，最低泄漏和最高密度
台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能、
台积电首先介绍了 N3 的 FINFLEX，N3工艺将于2022年内量产，2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：
3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求
2-2 FIN – Efficient Performance，从而减少了泄漏；此外，功耗降低 25~30%。功率效率和密度之间的良好平衡
2-1 FIN – 超高能效、台积电称这是其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，还需要等到后续测试出炉才能得知。N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，具体表现如何，台积电认为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。