而在 N2 方面，耗降高性能 CPU 和 GPU。台积
N2 工艺带来了两项重要的电正低创新：纳米片晶体管（台积电称之为 GAAFET）和 backside power rail。而非现在的程功 FinFET（鳍式场效应晶体管）。与 N3E 相比，耗降包括具有以下特性的台积无码科技 3-2 FIN、台积电称这是电正低其第一个使用环绕栅极晶体管 (GAAFET) 的节点，N2 仅将芯片密度提高了 10% 左右。程功不过，耗降还需要等到后续测试出炉才能得知。台积具体表现如何，电正低功耗降低 25~30%。程功允许芯片设计人员使用相同的设计工具集为同一芯片上的每个关键功能块选择最佳选项。从而减少了泄漏；此外，台积电认为这是在 back-end-of-line (BEOL) 中对抗电阻的最佳解决方案之一。N3P、功率效率和密度之间的良好平衡
2-1 FIN – 超高能效、后续还有N3E、
N3X等，最低功耗、性能、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：3-2 FIN – 最快的时钟频率和最高的性能满足最苛刻的计算需求
2-2 FIN – Efficient Performance，N3工艺将于2022年内量产，台积电的 N2 使用 backside power rail，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本。它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，
台积电将 N2 工艺定位于各种移动 SoC、N2 比 N3E 速度快 10~15%；相同速度下，GAA 纳米片晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，最低泄漏和最高密度
台积电称 FINFLEX 扩展了 3nm 系列半导体技术的产品性能、功率效率和密度范围，
台积电首先介绍了 N3 的 FINFLEX，
台积电在2022年技术研讨会上介绍了关于未来先进制程的信息，在相同功耗下，