三星电子在今年第二季度电话会议上表示，星西由此前的工工并 150 亿美元增加到 200 亿美元左右(约 1292 亿元人民币)。三星投资了 70 亿美元，厂期无码比原计划多了约 20 亿元人民币。将年晶圆此外，内完其中第二季度投资额为 13.6 万亿韩元，投产三星 NAND 芯片的每月全球市场份额达到了 33%，待三星二期工厂建成以后，星西外媒还报道称三星正考虑追加对西安 NAND 工厂的工工并无码投资，2019 年 12 月追加投资了 80 亿美元。厂期
2021 年上半年，将年晶圆三星电子位于中国西安的内完工厂二期将于年内完工。位居榜首。投产
三星电子西安工厂是每月该公司目前唯一的海外 NAND 闪存芯片生产基地。高于 DRAM 内存芯片的星西需求。三星电子上半年投资的金额约占计划投资的 108.5%，三星电子在韩国以及海外的基础设施投资额达到了 23.3 万亿韩元(约 1314.12 亿元人民币)，
目标是赶在今年年内投产。外媒表示，三星电子便一直对该工厂进行投资，
▲ 三星电子位于西安的工厂
中国有关部门的数据表示，
8 月 5 日消息 据韩国媒体 BusinessKorea 消息，未来全球年度 NAND 闪存需求增长预计会达到 40% 左右，如果加上一期工厂的数据，创下了季度投资的最高纪录。其 NAND 芯片年产能预计会达到每月 13 万片晶圆。该公司今年上半年已经投资了超过 4 万亿韩元(约 230 亿元人民币)用于安装设备，以应对全球日益增长的半导体需求。在这之后，2017 年，三星于 2017 年便决定在西安建设第二家工厂，计划 2021 年内全面投产。截至目前，月产能将高达 25 万片晶圆。