1 月 14 日消息，尔至并进一步拆下芯片，理器无码科技并尝试剥离单颗小芯片。布即到手后便进行了开核，遭开这名玩家通过加热 CPU 对芯片进行剥离，盖核其将采用 Intel 7 10nm 工艺，芯片预计 2022 还会有 Sapphire Rapids-X 系列处理器一同发布。封装英特尔下一代至强 Sapphire Rapids-SP 处理器尚未发布，英特无码科技
这款处理器的尔至名称为“Xeon vPRO XCC QWP3”，
这名玩家使用加热台对处理器升温，理器观察结构。布即此时基板已经损坏严重，遭开将小芯片放大，盖核德国一位超频玩家 @Der8auer 想办法购买到了一片处理器，芯片Der8auer 再次对处理器加热，
据了解，每个焊盘之间的距离最小为 0.053mm，目前不知道具体的参数。可以看到背部密集的焊点，使用 Golden Cove 架构。有着严重的烧焦痕迹。最大为 0.099mm
英特尔 Sapphire Rapid-SP 系列处理器针对 HEDT 高性能计算机推出，可以看到内部巨大的四颗芯片紧凑排列在一起。四颗共计 60 颗核心。单颗芯片拥有 16 个核心，从照片可以看出，
目的是融化内部的钎焊金属。据外媒 VideoCardz 报道，开盖之后，因此最多核心数量为 56 颗。