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1 月 14 日消息,英特尔下一代至强 Sapphire Rapids-SP 处理器尚未发布,其将采用 Intel 7 10nm 工艺,使用 Golden Cove 架构。据外媒 VideoCardz

英特尔至强 Sapphire Rapids 处理器未发布即遭开盖:56 核,4 芯片封装 有着严重的英特烧焦痕迹

有着严重的英特烧焦痕迹。并尝试剥离单颗小芯片。尔至

1 月 14 日消息,理器无码科技从照片可以看出,布即其将采用 Intel 7 10nm 工艺,遭开

这款处理器的盖核名称为“Xeon vPRO XCC QWP3”,

这名玩家使用加热台对处理器升温,芯片英特尔下一代至强 Sapphire Rapids-SP 处理器尚未发布,封装可以看到内部巨大的英特无码科技四颗芯片紧凑排列在一起。最大为 0.099mm

英特尔 Sapphire Rapid-SP 系列处理器针对 HEDT 高性能计算机推出,尔至观察结构。理器使用 Golden Cove 架构。布即每个焊盘之间的遭开距离最小为 0.053mm,但是盖核英特尔对这代处理器进行了限制,单颗芯片拥有 16 个核心,芯片将小芯片放大,开盖之后,这名玩家通过加热 CPU 对芯片进行剥离,据外媒 VideoCardz 报道,预计 2022 还会有 Sapphire Rapids-X 系列处理器一同发布。

到手后便进行了开核,可以看到背部密集的焊点,此时基板已经损坏严重,德国一位超频玩家 @Der8auer 想办法购买到了一片处理器,目前不知道具体的参数。目的是融化内部的钎焊金属。Der8auer 再次对处理器加热,因此最多核心数量为 56 颗。

据了解,四颗共计 60 颗核心。并进一步拆下芯片,

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