三星的阻H证或1a DRAM设计本身也存在问题，原因在于，内内部无码这款36GB容量的考虑HBM3E 12H内存由于受制于其14nm级DRAM技术，三星电子在HBM领域的调整工艺显得较为落后，至今未能通过主要客户英伟达的遇延期认证并实现供货。
【ITBEAR】近日，阻H证或后者已采用1nm级DRAM技术。内内部同时，考虑使得其1a DRAM产品相比SK海力士同期产品多了5个EUV层，调整无码这无疑将影响三星电子向下游厂商的遇延期及时交付。这些技术优势并未转化为经济上的阻H证或优势。但由于EUV工艺的内内部复杂性和稳定性问题，预计该产品的考虑供应将推迟至2025年的第2至3季度。这导致其DDR5服务器内存条获得英特尔产品认证的调整时间晚于竞争对手SK海力士。但这一决策尚未确定。有关三星电子HBM3E产品的消息引起了业界的关注。而重新设计并批量生产需要6个月时间，有消息透露，三星电子正在内部讨论是否对部分1a DRAM电路进行重新设计，
尽管采用了较为激进的EUV技术来降低成本，三星电子的12nm级DRAM最初设计时并未考虑用于HBM领域，三星电子的1a DRAM还面临着工艺和设计上的双重挑战。据报道，
与竞争对手SK海力士和美光相比，因此无法迅速调整以适应HBM3E内存的需求。