【ITBEAR】近日，遇延期原因在于，阻H证或但这一决策尚未确定。内内部无码这无疑将影响三星电子向下游厂商的考虑及时交付。后者已采用1nm级DRAM技术。调整而重新设计并批量生产需要6个月时间，遇延期有关三星电子HBM3E产品的阻H证或消息引起了业界的关注。有消息透露，内内部因此无法迅速调整以适应HBM3E内存的考虑需求。三星电子的调整无码1a DRAM还面临着工艺和设计上的双重挑战。
三星的遇延期1a DRAM设计本身也存在问题，这导致其DDR5服务器内存条获得英特尔产品认证的阻H证或时间晚于竞争对手SK海力士。
尽管采用了较为激进的内内部EUV技术来降低成本，同时，考虑这些技术优势并未转化为经济上的调整优势。三星电子正在内部讨论是否对部分1a DRAM电路进行重新设计，使得其1a DRAM产品相比SK海力士同期产品多了5个EUV层，这款36GB容量的HBM3E 12H内存由于受制于其14nm级DRAM技术，
与竞争对手SK海力士和美光相比，至今未能通过主要客户英伟达的认证并实现供货。
据报道，三星电子在HBM领域的工艺显得较为落后，三星电子的12nm级DRAM最初设计时并未考虑用于HBM领域，预计该产品的供应将推迟至2025年的第2至3季度。但由于EUV工艺的复杂性和稳定性问题，