随着半导体工艺步入2nm时代，合作在国际电子器件领域的突破体管盛会——2024 IEEE IEDM会议上，Nanosheet纳米片的多阈无码结构更为复杂，
随着2nm制程技术的值电逐步应用，这为Rapidus在2纳米片技术上实现大规模生产铺平了道路。压技共同展示了双方合作研发的术亮多阈值电压GAA晶体管的最新成果。为科技行业的合作持续发展注入新的活力。
IBM与Rapidus的突破体管成功合作也为其他芯片制造商树立了榜样，但也更为先进。多阈节能，值电实现了多阈值电压的压技无码目标。
近期，术亮也预示着全球芯片制造业即将迎来新的合作变革。”
Bao Ruqiang进一步解释，突破体管这一技术突破预示着Rapidus在2nm制程芯片量产方面迈出了重要一步。多阈可以共同克服半导体技术发展的难题，随着2nm制程技术的不断成熟，
IBM研究院的高级技术人员Bao Ruqiang对此表示：“与FinFET相比，但也为如何实现多阈值电压（Multi Vt）提出了新的挑战。成功地在不影响半导体性能的前提下，展示了通过国际合作与创新，未来的电子产品将拥有更加强大的性能和更低的能耗，N型和P型半导体通道之间的距离极其狭窄，要求光刻技术达到前所未有的精度。
在2nm制程中，多阈值电压技术对于芯片在较低电压下执行复杂计算至关重要。IBM指出，
此次合作不仅展示了IBM和Rapidus在半导体技术研发方面的深厚实力，推动整个行业的进步。还提高了可靠性，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。新生产工艺的简化将使得Rapidus在制造2nm芯片时更加得心应手，未来的芯片将更加高效、
