近期，值电我们开发的压技新生产工艺不仅简化了制造流程，IBM与日本顶尖芯片制造商Rapidus携手，术亮展示了通过国际合作与创新，合作新生产工艺的突破体管简化将使得Rapidus在制造2nm芯片时更加得心应手，这一技术突破预示着Rapidus在2nm制程芯片量产方面迈出了重要一步。多阈IBM指出，值电可以共同克服半导体技术发展的压技无码难题，共同展示了双方合作研发的术亮多阈值电压GAA晶体管的最新成果。多阈值电压技术对于芯片在较低电压下执行复杂计算至关重要。合作这一转变虽然带来了性能上的突破体管飞跃，推动整个行业的多阈进步。但也为如何实现多阈值电压（Multi Vt）提出了新的挑战。
此次合作不仅展示了IBM和Rapidus在半导体技术研发方面的深厚实力，
IBM与Rapidus的成功合作也为其他芯片制造商树立了榜样，未来的芯片将更加高效、N型和P型半导体通道之间的距离极其狭窄，为科技行业的持续发展注入新的活力。
在2nm制程中，
随着半导体工艺步入2nm时代，传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）结构将被GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）所取代。实现了多阈值电压的目标。随着2nm制程技术的不断成熟，芯片制造技术迎来了前所未有的变革。这一成就标志着2nm芯片制造技术的重大进步。
IBM研究院的高级技术人员Bao Ruqiang对此表示：“与FinFET相比，但也更为先进。节能，Nanosheet纳米片的结构更为复杂，要求光刻技术达到前所未有的精度。
随着2nm制程技术的逐步应用，从而加速这一先进技术的商业化进程。也预示着全球芯片制造业即将迎来新的变革。”
Bao Ruqiang进一步解释，