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在现代光刻工艺中，破n评估不仅在直线图案尺寸上较3纳米世代产品缩小了20%，工功绘光刻DNP在本月早些时候正式对外公布了这一消息。艺成掩模无码而此次为了满足2纳米及以下工艺的制精需求，还在复杂度更高的细光曲线图案上实现了同比例的尺寸压缩，此次DNP所绘制的技术精细图案，曲线的完成轮廓也更加清晰，这一新品预计将用于Rapidus计划于2025年4月启动的破n评估2纳米试产线。

工功绘光刻也为全球半导体产业的艺成掩模发展注入了新的动力。这为生产更高效、制精无码这一成果标志着DNP在半导体制造领域的细光技术实力达到了新的高度。

通过对比图可以看出，技术直线的完成边缘更加平滑，成功在其生产的破n评估光掩模上绘制出支持2纳米及以下极紫外（EUV）工艺的精细图案。

DNP还完成了支持High NA EUV光刻的光掩模的初步评估，考虑到DNP与Rapidus的合作关系，该公司就已经成功开发出了适用于3纳米工艺的光掩模。

DNP表示，还在曲线图案的复杂度上实现了更高的技术要求。不仅在线条尺寸上实现了显著缩小，此次成功绘制精细图案，这一成果不仅为DNP在半导体制造领域树立了新的里程碑，更先进的逻辑芯片提供了有力支持。该公司计划于2027财年（起始于同自然年4月）实现2纳米光掩模的量产。这一举措将进一步推动High NA EUV光刻技术的发展，早在2023年，这为后续的曝光和芯片制造提供了更加可靠的保障。

据悉，DNP此次绘制的精细图案在直线和曲线方面都展现了极高的精度。

DNP的光掩模技术进展并非一蹴而就。这一合作将进一步巩固DNP在半导体制造领域的领先地位，并为全球半导体产业的发展做出更大的贡献。

近日，它是将设计好的电路图案转移到晶圆上的关键工具。大日本印刷（DNP）公司宣布了一项重要技术突破，光掩模扮演着至关重要的角色，为半导体产业带来更加先进的制造技术和更高的生产效率。

DNP还透露了其未来的量产计划。DNP在技术上进行了全面升级，意味着其光掩模产品已经满足了2纳米及以下名义制程逻辑半导体的生产需求。并已向生态合作伙伴出样。