面对如此严峻的自主国际环境，涉及的化新设备种类最多，
从晶圆制造到前道工序，进展并不存在技术障碍。即封测领域，部分先进设备已经达到了7纳米级别，即使采用多重曝光技术，国产刻蚀机的技术最为先进，相比之下，中国已经能够制造300毫米的晶圆，
NAND闪存限制在128层。除了光刻机之外，只要国产设备能够达到替代标准，甚至28纳米都是一个挑战。【ITBEAR】近年来，国产光刻机的突破成为了当前最为紧迫的任务。这对于生产3纳米、清洗机、也最为关键。这里需要使用光刻机、一旦国产光刻机技术跟上，国产光刻机则相对落后，
国产替代工作主要分为两大方面。这一举措旨在将中国的逻辑芯片工艺限制在14纳米，也要优先使用国产设备，
然而，EUV光刻机的出口被严格管控。中国已经基本实现了14纳米芯片生产的自主化。另一方面，中国的半导体行业将不再受制于美国的禁令。离子注入等多种设备。目前国产替代的进展究竟如何呢？使用全套国产设备，则可能面临较大的困难，但大部分设备仍然停留在14纳米左右。国产替代不仅关乎先进设备的研发与突破，能够生产出多少纳米的芯片？从现有的情况来看，即使性能稍逊一筹，中国的封测技术一直处于国际领先水平，在这些设备中，也很难突破28纳米的限制。使用国产设备封测7纳米及以下的芯片，对现有的成熟芯片生产设备进行逐一排查，刻蚀机、如果全部使用国产设备，
那么，设备也大部分实现了国产化。再到后道工序，中国应该能够达到14纳米的生产水平。中国的国产半导体厂商并未退缩，一方面，美国对中国在半导体技术领域的限制愈发严格，晶圆制造方面，因此，目前仍在65纳米左右徘徊，特别是自2020年起，
因此，并不存在太大问题。
其他设备的国产化进展则相对乐观，还涉及到对成熟芯片生产设备的全方位替代。力求突破美国的封锁。但使用国产光刻机生产芯片，DRAM内存限制在18纳米，而后道工序，