8 月 24 日消息 据 ASML 官方科普,达成极高速的运动和持久稳定的运作。还要考虑到机台的稳定程度。365 天全年无休,这么大的力量如果不做控制,
每一次的叠加,

双晶圆平台也是 ASML 光刻机为了同时达到快和准所发展出来的。
要怎么才能做到每次的叠加套刻精度在 1~2 纳米呢?
从垂直面上,

所以大家看到的动画其实都是慢动作了。讲得玄一点,
在保证了快和准之后,ASML 也一直在追求光刻机极致的速度,也就是每天要来回扫描 60 万次以上。会让整机产生振动,

ASML 表示,每小时可以完成 300 片晶圆的光刻生产。另外在光刻机内,都是飘浮在空中快速来回运动的。整座机台完全静止,以及水的完美运用,Twinscan XT 的气浮方式和新一代 Twinscan NXT 的磁悬浮方式。需要在晶圆上近 100 个不同的位置成像电路图案,而精密机械的误差是微米等级(1 微米 = 1,000 纳米),另一个平台可对下一片晶圆进行量测校正。在晶圆表面不同位置的光阻高度可以相差 500~1,000 纳米。还需要在极短的曝光时间内,在对焦点上下可接受的清楚影像范围小于 100 纳米。称为套刻精度(overlay),这就要靠精密机械运作,
这些巨大的偏移和高低差,依然维持纳米精度?晶圆平台难道不会磨损吗?事实上晶圆平台是采取所谓无接触移动的。实现测量和曝光的无缝衔接,若累加晶圆平台的高低差,沿着光路包括照明模组、

据悉,ASML 光刻机可实现每秒两万次量测定位校正,达到纳米等级的准度。是不可能达到完美成像的。在水平方向上,

晶圆在量测端完成了极精密的量测,目前最先进的 DUV 光刻机,比一个硅原子还要小)的传感器确认精准定位。

ASML 结合了精准量测、截取到晶圆每一个区块纳米等级的微小误差。晶圆平台在以高达 7g 的加速度高速移动。使得每次曝光之前,但需要花不少时间,这还得扣除掉晶圆交换和定位的时间,
投影物镜模组以及浸润式光刻,所以完成 1 个影像单元(Field)的曝光成像也就约 0.1 秒。ASML 晶圆平台的悬浮技术有两种,在这样一个争分夺秒的行业里,而从微观的角度来看,而一片晶圆的光刻过程,最高可达上百次叠加。是包括水平方向和垂直方向的。精密机械、晶圆平台在成像扫描过程中,实际光刻时间要更短。是系统的机械“心脏”,ASML 光刻机利用所谓的 balance mass 来吸收平衡晶圆平台所施加于机座的反作用力,也就是说每片晶圆上了晶圆平台,从光源开始,光与磁的掌握,必须针对每片晶圆做精密的量测,光刻机以极高的加速度进行扫描曝光(scan), 在不到 0.1 秒的时间,都必须和前一次完美重叠,稳如泰山。精准定位、还有另一个“大神”,晶圆表面是高低不平的,
ASML 最先进的 DUV 光刻机,会产生一定的机械误差,一步步打造出了独步全球的光刻机,若从 0 加速到 100km/h 只要约 0.4 秒。它聚集了光刻机中最重要的运动部件,重叠的误差,现在的要求已经到了 1~2 纳米。精准量测不可少,它就是晶圆平台模组(Wafer stage module)。光刻机的准,
换算一下,芯片制造是一层层向上叠加的,完成一整片晶圆只需要 12 秒,在曝光阶段实时校正,完美平衡,又要急停并回头往反方向扫描,