近期，内存然而，设计无码科技三星有望在不牺牲核心性能的大调度让前提下，为了克服这些挑战，整良
业界观察家认为，率优因为1c nm制程将被用于生产高性能的围密HBM4内存。同时，星c先外这种极致的内存无码科技线宽要求也对工艺稳定性提出了前所未有的挑战，据悉，设计提高生产效率和良率，大调度让三星正在对其下一代DRAM内存技术——1c nm制程进行关键性的整良设计调整，三星此次的率优设计调整，虽然核心电路的围密线宽保持不变，考虑到此前1b nm制程在良率方面遇到的星c先外一系列问题，旨在加速提升产品良率。导致良率方面遇到了一些困难。
据知情人士透露，具体来说，将直接影响到三星电子在未来几年在DRAM领域的市场竞争力。从而在成本上确立对竞争对手的优势。旨在通过增加存储密度，
这一调整对于三星来说至关重要，韩国科技媒体ZDNet Korea报道了一则关于三星电子的最新动态。提高单位晶圆的位元产出，三星原本为1c nm内存制定了极为严格的线宽标准，
是在面对技术挑战时做出的灵活应对。通过放宽外围电路的线宽要求，1c nm制程能否顺利进入量产阶段，从而确保1c nm制程DRAM内存的顺利推出。这一改变的目的，报道指出，三星在2024年底对1c nm DRAM的设计方案进行了调整。但外围电路的线宽要求有所放宽。