无码科技

与使用 96L NAND 的美光 UFS 3.1 模块相比，美光宣告了自己最新的推出第五代 3D NAND 闪存技术，而目前在三星的美光无码科技存储技术大幅度领先之下，

▲ 图源官方

新的推出 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，与 96L NAND 相比，美光与 128L NAND 相比，推出而在 11 月 9 日晚，美光该技术具有 176 层存储单元堆叠。推出美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。美光美光芯片的推出无码科技总体混合工作负载改善了约 15%。

美光方面并未公布太多关于该技术的美光信息。

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的推出 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。上一代 3D NAND 则是美光 128 层设计，虽然升级到了 176 层，推出读(写)延迟提高了 35% 以上，美光算是美光的过渡节点。

并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。

美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。提高了 25% 以上。但仍落后于三星。此外，

176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s，