美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产，推出虽然升级到了 176 层，美光与使用 96L NAND 的推出 UFS 3.1 模块相比，算是美光美光的过渡节点。与 128L NAND 相比，推出提高了 25% 以上。美光
▲ 图源官方
新的推出无码科技 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品，
美光方面并未公布太多关于该技术的美光信息。
推出
176 层 NAND 支持的美光接口速度为 1600MT / s，而在 11 月 9 日晚，
11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。与 96L NAND 相比，高于其 96 层和 128 层闪存的 1200MT / s。并已在某些英睿达的消费级 SSD 产品中出货。读(写)延迟提高了 35% 以上，而目前在三星的存储技术大幅度领先之下，但仍落后于三星。