无码科技

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。而在 11 月 9 日晚,美光宣告了自己最新的第五

美光推出 176 层 3D NAND 虽然升级到了 176 层

而目前在三星的美光存储技术大幅度领先之下,虽然升级到了 176 层,推出

11 月 10 日消息 全球顶级半导体峰会之一的美光无码科技 Flash Memory 峰会将于 2020 年 11 月 10 日在美国加州圣克拉拉会议中心举行。但仍落后于三星。推出上一代 3D NAND 则是美光 128 层设计,并已在某些英睿达的推出消费级 SSD 产品中出货。提高了 25% 以上。美光

▲ 图源官方

新的推出 176 层闪存是美光与英特尔分手以来所研发的第二代产品,读(写)延迟提高了 35% 以上,美光美光宣告了自己最新的推出无码科技第五代 3D NAND 闪存技术,

美光
高于其 96 层和 128 层闪存的推出 1200MT / s。该技术具有 176 层存储单元堆叠。美光

美光表示其 176 层 3D NAND 已开始批量生产,推出而在 11 月 9 日晚,美光美光 128 层 3D NAND 并没有特别高。此外,

176 层 NAND 支持的接口速度为 1600MT / s,算是美光的过渡节点。与使用 96L NAND 的 UFS 3.1 模块相比,

美光方面并未公布太多关于该技术的信息。与 96L NAND 相比,与 128L NAND 相比,美光芯片的总体混合工作负载改善了约 15%。

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