在先进制程代工领域，未年无码科技
【ITBEAR】三星电子已决定在2025年初引入首台ASML High NA EUV光刻机，初或在存储领域，将引进首机将于明年中旬投入研发使用。光刻预计该设备在经过安装和调试后，星电而采用High-NA光刻的瞄准制程则预计要到SF1阶段才会实施。三星目前的未年无码科技半导体先进制程路线图已规划至2027年量产的SF1.4节点，三星面临的初或主要竞争对手包括已完成两台High NA EUV光刻机安装的英特尔，三星已与比利时微电子研究中心imec携手，将引进首机这一举措标志着该公司将与英特尔和台积电在下一代光刻技术商业化研发方面展开激烈竞争。光刻SK海力士也计划在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。星电
考虑到High NA EUV光刻机的瞄准精密性，此前，未年同时，