目前，量产包括一种新的超过层结构，但有理由相信，市场可能会采用PCIe Gen5接口。预告减小尺寸，量产预计明年初将投入批量生产。
三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培在一篇博客文章中写道：“第九代V-NAND采用双层结构，
增加层数将有助于提高三星3D NAND设备的存储密度。而且继续采用了三星在2020年首次使用的双层技术。该公司正式宣布，以最大化垂直层数，
李政培表示：“三星正在研究下一代具有创新价值的技术，层数达到业界最高水平，因此三星的第九代V-NAND层数应会更多。
【ITBEAR科技资讯】10月19日消息，”
早在8月份就有关于三星研发第九代V-NAND拥有超过300层结构的消息，他们正在如期制造第九代V-NAND闪存，三星如今明确表示，三星，他们的3D NAND有效层数将超越竞争对手，而目前已知SK海力士的下一代3D NAND将具有321层，该公司预测未来的闪存类型将不仅提高存储密度，作为全球最大的NAND闪存供应商之一，
至于更长期的技术创新，