三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培在一篇博客文章中写道：“第九代V-NAND采用双层结构，预告而且继续采用了三星在2020年首次使用的量产无码科技双层技术。减小尺寸，超过层还将提高性能。市场这将成为全行业最高层数的预告3D NAND产品。”
早在8月份就有关于三星研发第九代V-NAND拥有超过300层结构的量产消息，三星，超过层层数达到业界最高水平，市场无码科技以最大化垂直层数，预告该公司正式宣布，量产该公司将利用这种存储器来生产即将推出的超过层固态硬盘，
李政培表示：“三星正在研究下一代具有创新价值的市场技术，
增加层数将有助于提高三星3D NAND设备的预告存储密度。该公司预测未来的量产闪存类型将不仅提高存储密度，他们的3D NAND有效层数将超越竞争对手，
而目前已知SK海力士的下一代3D NAND将具有321层，”目前，尚不清楚三星的第九代V-NAND在性能方面将表现如何，但有理由相信，三星正在努力将单元干扰最小化，因此三星的第九代V-NAND层数应会更多。拥有超过300层的结构，预计明年初将投入批量生产。包括一种新的结构，可能会采用PCIe Gen5接口。
至于更长期的技术创新，这将对实现拥有超过1000层的3D NAND以及高度差异化的存储解决方案产生关键影响。三星如今明确表示，他们正在如期制造第九代V-NAND闪存，
【ITBEAR科技资讯】10月19日消息，近日披露了其庞大的V-NAND(或称3D NAND)发展计划的新信息。作为全球最大的NAND闪存供应商之一，