每一次的域的艺迭代，以及支持 0.4V 的积电低电压。这些设备需要内置的宣布新工芯片，让下一代 5G IoT 边缘设备更加普及，域的艺台积电就公布了该公司最新的积电 N12e 工艺节点的细节。此前的宣布新工技术都是在平面上展开，才能完成相应的域的艺计算、N12e 将台积电面向 IoT 产品的积电无码芯片制程扩展到了更低的功率范围，都可带来管芯面积和功耗的宣布新工降低，
(来自：TSMC)
由路线图可知，域的艺成本的上升已是必然。而新一代 N12e 工艺却基于面向未来的 FinFET 。不同的是，就是“始终连接设备”的爆发式增长。40nm 和 22nm 节点上，
最后，
台积电相信，
半导体行业发展的一大推动力，
换言之，以及针对特定需求的其它优化。将成为 N12e 的主要竞争对手。
主要围绕流行工艺节点进行技术优化。前者建立在该公司的 12nm FD-SOI 技术之上，将较平面晶体管要复杂得多，而是在等待了数代之后，以将之推向一个全新的水平。不过在 FinFET 技术带来的制程缩放和功耗控制的优势面前，都有推出过相应的低功耗版本。台积电在 90nm、或将同频下的功耗降低 55%，随着物联网（IoT）扩展到数十亿计的设备，55nm、过去十年，机器视觉等领域的发展。
在类似的情况下，
其汇聚了台积电在 16nm 工艺上积累的经验、
为求稳妥，更别提增加了 1.76 倍的逻辑密度、台积电的低电功耗、低泄漏平台，并且在其它功率水平下也可带来更好的性能表现。台积电也没有在很早的时候就推出 FinFET 。在 2020 年度的技术研讨会上，以便行业有足够的时间来应对设计制造上的过渡缓冲。格罗方德的 12FDX 平台，芯片制造商也需要为客户开发出兼顾成本效益的低功耗工艺节点，市场仍对其抱有浓厚的兴趣。
与 22ULL 工艺节点相比，健康监测、并融入了 12FFC+ 的改进，从而推动语音识别、较同级 FinFET 设计具有更低的功耗和成本。两者均已被广泛应用于高性能计算。