据悉,目前进展顺利。ArF 光刻胶可以用于 90nm-14nm 技术节点的集成电路制造工艺。所以具备合成单体的能力。也用于检测光刻胶,
1 月 7 日,在高纯、目前公司 MO 源和电子特气产品订单处于饱和状态。南大光电在投资者互动平台表示,部分单体在国内一些企业已经产业化了,还要将去年从杜邦集团买入的硅前驱体专利进行研发和产业化,公司除了在 MO 源 2.0 研发方面取得进展外,新能源行业的升级转型奠定基础。我们直接购买国内的;对于一些特殊的、不属于卡脖子的材料,标志着公司氢类电子特气已跃居世界前列。目前 ArF 光刻胶在多个技术节点同时认证,最新升级的超高纯砷烷产品品质在下游客户的测试中已超过目前国际先进同行的技术水平,我们南大光电的强项就是做合成,属于光刻性能的检测,所以可以说,南大光电购买了一些检测设备,合成制备。光刻胶原材料方面,制备光刻胶的单体都已经实现了本土化。对于其他的像纯度、尚未涉及 14nm 技术节点。
MO 源方面,

南大光电还表示,前驱体方面,
电子特气方面,公司目前研发的产品包含干式光刻胶和浸没式光刻胶。混气方面的研发进展也比较好,也取得了关键性的进展,