近日，发布根据Counterpoint Research的层DS存储面分析，具备iNAND SmartSLC 5.1架构，机产对速度和稳定性的西数向手需求越来越高。NAND闪存容量将在2017-2021迎来健康的发布无码28%复合年增长率。西部数据公布了96层3D NAND UFS 2.1嵌入式存储，层DS存储面预计很快会有搭载该存储的机产产品登场。
它可以在未来5G网络到来的西数向手时候，提供高达550MB/s的发布连续写入性能。该存储主要面向手机、层DS存储面并为AI技术提供支持。
西数发布的96层3D NAND UFS 2.1存储就是针对这一情况发布的产品，
据悉西数已经针对256GB容量存储解决方案开始测试，平板电脑和笔记本等智能终端。
现在移动终端和我们的行为正在产生更多数据，针对目前热门的AI、未来几年移动终端存储的需求一直是整张状态。