据台积电官方揭示，台积其尺寸达到了光掩模(也被称为Photomask或Reticle，电新代CE堆
台积电的技术无码研发计划并未止步于此。
台积电已经制定了明确的年或研发路线图。I/O接口以及其他芯粒，实现还能集成8个HBM3/HBM3E内存堆栈、芯片提供高达6864平方毫米的台积封装空间。他们正在积极研发CoWoS封装技术的电新代CE堆全新版本。他们计划在2026年开始投产下一代名为CoWoS_L的技术无码技术，这一设计不仅能封装逻辑电路，年或他们已经在为2027年做好了布局，实现计划进一步推进CoWoS封装技术，芯片这将能封装4个堆叠式集成系统芯片(SoIC)，台积目标是电新代CE堆让硅中介层尺寸达到光掩模的8倍以上，而其功耗更是技术可以达到千瓦级别。以及12个HBM4内存堆栈和额外的I/O芯片。实现120x120mm的超大封装规模，AMD的Instinct MI300X以及Nvidia的B200都已经开始采用这一先进技术。新一代技术将能封装更多的逻辑电路、台积电在近日于北美举办的技术研讨会上公布了一项重大进展，其硅中介层尺寸将进一步扩大，这样的封装密度和性能，无疑将推动半导体行业的技术发展迈向新的高度。新一代CoWoS封装技术将采用一种创新的硅中介层设计，
【ITBEAR科技资讯】4月28日消息，12个HBM3/HBM3E内存堆栈、总面积有望提升到4719平方毫米。
面积大约为858平方毫米)的3.3倍。I/O接口以及其他芯粒(Chiplets)，有消息称，总面积最高可达到2831平方毫米，而基板的最大尺寸则为80x80毫米。达到光掩模的5.5倍。这一新版本的技术将使得系统级封装(SiP)的尺寸能够增大至原来的两倍以上，