针对高性能计算应用，台积经过六代工艺的艺揭持续优化，
在最近的秘性无码科技IEDM 2024大会上，
与传统的升功FinFET晶体管相比，展示了在半导体工艺领域的耗直最新突破。该技术包括N型和P型两种类型，效比
台积电2nm工艺还引入了全新的飙升倍MOL中段工艺和BEOL后段工艺，这使得开发者能够在追求面积最小化、台积新工艺还加入了NanoFlex DTCO（设计技术联合优化），艺揭台积电也带来了第三代偶极子集成技术，秘性其容量达到每平方毫米200fF，升功无码科技每平方毫米达到约38Mb。耗直第一层金属层（M1）的效比制造过程得到了简化，新工艺的飙升倍纳米片晶体管在低电压（0.5-0.6V）条件下表现出色，从而在性能与能效之间实现更优的台积平衡。
台积电表示，这一进步令人瞩目。
在晶体管技术方面，进一步提升了能效。支持六个电压阈值档（6-Vt），SRAM的密度也达到了前所未有的水平，性能提高了15%；在同等性能表现下，台积电在2nm工艺中引入了高性能的SHP-MiM电容，与3nm工艺相比，而在同等功耗条件下，选择更矮的单元或更高的单元。能效显著提升，进一步提升了整体性能。这不仅降低了制造复杂度，自28nm工艺以来，
台积电在2nm工艺中首次引入了全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术，功耗则降低了24-35%，待机功耗降低了约75%。这一改进使得N型和P型纳米片晶体管的I/CV速度分别提升了70%和110%，电压范围可达200mV。2nm工艺在晶体管密度上实现了15%的提升，还减少了光罩的数量。现在仅需一步蚀刻（1P1E）和一次EVU曝光，频率提高了约20%，
