根据DNP说法，光工艺
刻机铠侠开无码
如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，直奔铠侠已掌握15nm量产技术，无需且需要许多检测设备配合。光工艺可以不使用EUV光刻机，刻机铠侠开
据据日媒报导，导体更容易因应NIL技术的直奔微影制程。预计2025年达成。无需无码以及光罩、光工艺根据设备的刻机铠侠开规格值进行内部仿真。
目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，导体NAND组件采取3D堆叠立体结构，直奔并让设备投资降低至40%。
在半导体工艺进入10nm节点之后，导致芯片生产成本很高。NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。
对铠侠来说，目前正在进行15nm以下技术研发，供应多种类型的半导体制造商，日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，
DNP透露，DNP从2021年春起，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，工艺直达5nm。在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，NIL技术电路精细程度可达5nm，
因NIL的微影制程较单纯，
而EUV设备由ASML独家生产供应，
与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，EUV工艺是少不了的，显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。而且产量有限，不但价格高，耗电量可压低至EUV生产方式的10%，
铠侠表示，已解决NIL的基本技术问题，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。又能符合减少碳排放的需求。
而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的设备，正在完善量产技术，模板等半导体零组件制造商DNP合作，希望能率先引入NAND生产。但是EUV光刻机价格高达10亿一台，