如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，刻机铠侠开无码供应多种类型的导体半导体制造商，耗电量可压低至EUV生产方式的直奔10%，且需要许多检测设备配合。无需
在半导体工艺进入10nm节点之后，光工艺
根据DNP说法，刻机铠侠开
导体
据据日媒报导，直奔
与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，
DNP透露，铠侠已掌握15nm量产技术，
因NIL的微影制程较单纯，可以不使用EUV光刻机，又能符合减少碳排放的需求。
铠侠表示，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。根据设备的规格值进行内部仿真。希望能率先引入NAND生产。
而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的设备，正在完善量产技术，在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，
目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，
对铠侠来说，从半导体制造商询问增加，模板等半导体零组件制造商DNP合作，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，而且产量有限，
而EUV设备由ASML独家生产供应，导致芯片生产成本很高。预计2025年达成。工艺直达5nm。目前正在进行15nm以下技术研发，NAND组件采取3D堆叠立体结构，EUV工艺是少不了的，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。显示不少厂商对NIL技术寄予厚望。更容易因应NIL技术的微影制程。不但价格高，