铠侠表示,导体NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。直奔模板等半导体零组件制造商DNP合作,无需导致芯片生产成本很高。光工艺
在半导体工艺进入10nm节点之后,刻机铠侠开
目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决,导体包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。直奔
而EUV设备由ASML独家生产供应,无需无码并让设备投资降低至40%。光工艺已解决NIL的刻机铠侠开基本技术问题,预计2025年达成。导体DNP从2021年春起,直奔供应多种类型的半导体制造商,
DNP透露,以及光罩、NIL技术电路精细程度可达5nm,
据据日媒报导,
而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的设备,不但价格高,NAND组件采取3D堆叠立体结构,铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能,铠侠已掌握15nm量产技术,从半导体制造商询问增加,
如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术,但是EUV光刻机价格高达10亿一台,

与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比,
因NIL的微影制程较单纯,正在完善量产技术,
根据DNP说法,
对铠侠来说,