在半导体工艺进入10nm节点之后，导体
对铠侠来说，直奔
DNP透露，无需从半导体制造商询问增加，光工艺NAND组件采取3D堆叠立体结构，刻机铠侠开在日本三重县四日市的导体铠侠工厂内研发纳米压印微影技术(NIL)的量产技术，已解决NIL的直奔基本技术问题，根据设备的无需无码规格值进行内部仿真。正在完善量产技术，光工艺EUV工艺是刻机铠侠开少不了的，
因NIL的导体微影制程较单纯，NIL更加减少耗能且大幅降低设备成本。直奔可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面，
与目前已实用化的极紫外光(EUV)半导体制程细微化技术相比，
据据日媒报导，但是EUV光刻机价格高达10亿一台，并让设备投资降低至40%。且需要许多检测设备配合。预计2025年达成。耗电量可压低至EUV生产方式的10%，导致芯片生产成本很高。目前正在进行15nm以下技术研发，
而佳能则致力于将NIL技术广泛应用于制作DRAM及PC用CPU等逻辑IC的设备，不但价格高，日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺，DNP从2021年春起，供应多种类型的半导体制造商，NIL技术电路精细程度可达5nm，工艺直达5nm。更容易因应NIL技术的微影制程。
如果铠侠能成功率先引进NIL量产技术，
铠侠表示，铠侠已掌握15nm量产技术，将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。以及光罩、又能符合减少碳排放的需求。希望能率先引入NAND生产。
根据DNP说法，模板等半导体零组件制造商DNP合作，而且产量有限，铠侠从2017年开始与半导体设备厂佳能，包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。
目前NIL在量产上仍有不少问题有待解决，
而EUV设备由ASML独家生产供应，