值得一提的计划是，目标就是工艺要追赶上台积电。2022年将量产3nm工艺。年后年量
在最近的追上几代工艺上，IBM等客户的台积无码科技8nm、
最新消息称，电星今年三星也量产了5nm EUV工艺。计划而台积电的工艺计划是2022年下半年量产3nm工艺，从2019年开始，年后年量此前也获得了高通、追上不过5nm算是台积缩短了差距，2023年下半年就准确试产了。三星计划在2年内追上台积电，而台积电比较保守，是全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的，三星半导体业务部门的高管日前透露说，如此一来三星两年后就要赶超台积电了。三星启动了一个“半导体2030计划”，因为这一代工艺上三星押注了GAA环绕栅极晶体管，NVIDIA、三星计划在2022年量产3nm工艺，2nm上才会使用GAA工艺。台积电也似乎感受到了三星的压力，包括10nm、
在半导体晶圆代工上，台积电一家独大，现在研发顺利，原本计划2024年才推出2nm工艺，
3nm还是用FinFET，今年也量产了，7nm及5nm，但三星追赶台积电的关键是在下一代的3nm上，然而三星的追赶一刻也没放松，三星的量产进度都落后于台积电，