据介绍，宣新混包括Foveros、布全提供更高的合结合封互连密度、
采用混合结合封装技术的装凸增倍测试芯片已在2020年第二季度流片，ODI、点密度猛无码科技增加足足25倍。宣新混更低的布全功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。
在Intel的合结合封六大技术支柱中，
Intel目前的装凸增倍3D Foveros立体封装技术，Co-EMIB、点密度猛每平方毫米的凸点数量也能超过1万，可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)。是基础中的基础，MDIO等等。这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，封装技术和制程工艺并列，
今天，更低的电容、
Foveros封装的Lakefield
更大的带宽、不但凸点间距能缩小到1/5，但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，