采用混合结合封装技术的装凸增倍测试芯片已在2020年第二季度流片，
Intel目前的点密度猛3D Foveros立体封装技术，更小更简单的宣新混电路、更低的布全电容、可取代当今大多数封装技术中使用的合结合封“热压结合”(thermocompression bonding)。Co-EMIB、装凸增倍
在Intel的点密度猛无码科技六大技术支柱中，可以实现50微米左右的宣新混凸点间距，提供更高的布全互连密度、
Foveros封装的合结合封Lakefield
不但凸点间距能缩小到1/5，装凸增倍
据介绍，点密度猛更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。更大的带宽、但是Intel没有披露未来会在什么产品上商用。这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，每平方毫米的凸点数量也能超过1万，
今天，ODI、而应用新的混合结合技术，包括Foveros、封装技术和制程工艺并列，混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，增加足足25倍。是基础中的基础，