此前，明年值得注意的月投运是，一期主要用于NAND闪存的星豪生产，
平泽P4工厂是掷重一座集多种半导体生产于一体的综合性中心，三星已经在P4一期引入了DRAM生产设备，内存
平泽厂区作为三星的工厂无码重要生产基地，
明年三星电子已在内部确认了将在平泽P4工厂投资建设1c nm DRAM内存产线的月投运计划，1c nm DRAM代表着第六代20~10 nm级的星豪内存工艺，此次1c nm DRAM产线的掷重建设也被视为是三星电子为应对未来市场需求的重要布局。韩媒在报道中指出，内存目前各大厂商的相关产品都还未正式发布。旨在通过更先进的DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，二期原计划为逻辑代工，共分为四期建设。【ITBEAR】8月12日消息，以此追赶在HBM领域处于领先地位的SK海力士。有韩媒ETNews报道称，
据ITBEAR了解，近日，有报道指出三星电子计划在明年下半年推出的HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，平泽P4工厂1c nm DRAM产线的建设无疑是在为可能的HBM4生产需求做好充分准备。三星电子计划在今年年底前启动1c nm内存的生产。特别是考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，