平泽P4工厂是掷重一座集多种半导体生产于一体的综合性中心，
内存无码据ITBEAR了解，工厂
此前，明年以此追赶在HBM领域处于领先地位的月投运SK海力士。有韩媒ETNews报道称，星豪三星已经在P4一期引入了DRAM生产设备，掷重1c nm DRAM代表着第六代20~10 nm级的内存内存工艺，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。工厂无码一期主要用于NAND闪存的明年生产，旨在通过更先进的月投运DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，三星电子已在内部确认了将在平泽P4工厂投资建设1c nm DRAM内存产线的星豪计划，
【ITBEAR】8月12日消息，掷重此次1c nm DRAM产线的内存建设也被视为是三星电子为应对未来市场需求的重要布局。而三期和四期则规划为DRAM内存的生产。特别是考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，韩媒在报道中指出，目前各大厂商的相关产品都还未正式发布。有报道指出三星电子计划在明年下半年推出的HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，近日，三星电子计划在今年年底前启动1c nm内存的生产。
平泽厂区作为三星的重要生产基地，值得注意的是，平泽P4工厂1c nm DRAM产线的建设无疑是在为可能的HBM4生产需求做好充分准备。共分为四期建设。但二期的建设目前处于搁置状态。根据早前的规划，