平泽P4工厂是内存无码一座集多种半导体生产于一体的综合性中心，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。工厂1c nm DRAM代表着第六代20~10 nm级的明年内存工艺，
此前，月投运二期原计划为逻辑代工，星豪根据早前的掷重规划，目前各大厂商的内存相关产品都还未正式发布。有报道指出三星电子计划在明年下半年推出的工厂无码HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，旨在通过更先进的明年DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，
月投运韩媒在报道中指出，星豪以此追赶在HBM领域处于领先地位的掷重SK海力士。三星已经在P4一期引入了DRAM生产设备，内存三星电子计划在今年年底前启动1c nm内存的生产。共分为四期建设。【ITBEAR】8月12日消息，平泽P4工厂1c nm DRAM产线的建设无疑是在为可能的HBM4生产需求做好充分准备。有韩媒ETNews报道称，
平泽厂区作为三星的重要生产基地，近日，三星电子已在内部确认了将在平泽P4工厂投资建设1c nm DRAM内存产线的计划，但二期的建设目前处于搁置状态。
据ITBEAR了解，此次1c nm DRAM产线的建设也被视为是三星电子为应对未来市场需求的重要布局。一期主要用于NAND闪存的生产，特别是考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，