【ITBEAR】8月12日消息，月投运三星电子计划在今年年底前启动1c nm内存的星豪生产。目前各大厂商的掷重相关产品都还未正式发布。根据早前的内存规划，韩媒在报道中指出，工厂无码1c nm DRAM代表着第六代20~10 nm级的明年内存工艺，值得注意的月投运是，以此追赶在HBM领域处于领先地位的星豪SK海力士。有报道指出三星电子计划在明年下半年推出的掷重HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，平泽P4工厂1c nm DRAM产线的内存建设无疑是在为可能的HBM4生产需求做好充分准备。特别是考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，一期主要用于NAND闪存的生产，
此前，
据ITBEAR了解，此次1c nm DRAM产线的建设也被视为是三星电子为应对未来市场需求的重要布局。共分为四期建设。
平泽厂区作为三星的重要生产基地，三星已经在P4一期引入了DRAM生产设备，
平泽P4工厂是一座集多种半导体生产于一体的综合性中心，但二期的建设目前处于搁置状态。二期原计划为逻辑代工，三星电子已在内部确认了将在平泽P4工厂投资建设1c nm DRAM内存产线的计划，