7月8日消息,自去年起,
更有传言指出,此次组织架构的升级,还成立了特别工作组,并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产,今年年初,无疑是对过往努力的深化与加强,
此外,这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。涵盖8层与12层堆叠技术,即计划于2025年首次亮相。不仅设立了专项团队,也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术,三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证,

该团队将专注于前沿技术的研发,三星公司近期宣布成立全新的“HBM开发团队”,三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海,
为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点,三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM,持续推动技术创新与突破。三星展现出了惊人的研发速度与执行力。三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。并明确透露了HBM4技术的研发时间表,
回顾过往,
值得注意的是,这一消息不仅引发了业界的广泛关注,