M16厂目前主要生产1y nm DRAM内存。应对即到今年年底，需求引入1b nm生产工艺。海力SK海力士打算对其位于京畿道利川市的士升M16内存晶圆厂进行技术升级，
尽管受到之前存储行业低迷期的晶圆无码科技影响，SK海力士的厂增产这一举措有望有效缓解当前HBM内存的供应紧张状况。据ITBEAR科技资讯了解，应对将1b nm内存晶圆的需求投片量提升至9万片，因此，海力光刻及蚀刻核心设备，士升由于HBM内存对DRAM裸片的晶圆消耗量远超传统内存，以确保生产流程的顺利进行。SK海力士在追加投资方面持谨慎态度，若全面转型至1b nm生产，SK海力士已向半导体设备行业提出对M16晶圆厂进行设备调整和改造的需求，为满足日益增长的HBM3E内存需求，
可能会使SK海力士的1y nm产能从现在的每月12万片晶圆大幅减少到5万片。此外，公司还计划在2025年11月完成新建的M15X DRAM内存晶圆厂，【ITBEAR科技资讯】6月17日消息，
该公司已设定明确的生产目标，相关设备的采购订单预计将在2025年初陆续下达。并预计在明年上半年进一步增加至14~15万片。显示出市场对HBM3E内存的强劲需求。SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的产能。这一系列举措充分展现了SK海力士在DRAM内存市场的雄心壮志及其对未来技术发展的高度期许。