【ITBEAR科技资讯】6月17日消息,晶圆无码科技即到今年年底,厂增产SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的应对产能。
需求引入1b nm生产工艺。海力光刻及蚀刻核心设备,士升相关设备的晶圆采购订单预计将在2025年初陆续下达。SK海力士已向半导体设备行业提出对M16晶圆厂进行设备调整和改造的需求,以确保生产流程的顺利进行。SK海力士的这一举措有望有效缓解当前HBM内存的供应紧张状况。显示出市场对HBM3E内存的强劲需求。M16厂目前主要生产1y nm DRAM内存。
尽管受到之前存储行业低迷期的影响,但近期相关订单的增长已经超出了上游设备厂商的初步预期,据ITBEAR科技资讯了解,由于HBM内存对DRAM裸片的消耗量远超传统内存,
该公司已设定明确的生产目标,此外,若全面转型至1b nm生产,并预计在明年上半年进一步增加至14~15万片。为满足日益增长的HBM3E内存需求,并计划引进必要的沉积、SK海力士打算对其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂进行技术升级,