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【ITBEAR科技资讯】6月17日消息,据韩媒The Elec报道,为满足日益增长的HBM3E内存需求,SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的产能。由于HBM内存对DRAM裸片的消耗量

SK海力士升级M16晶圆厂,增产1b nm DRAM以应对HBM3E需求 据韩媒The 应对Elec报道

SK海力士已向半导体设备行业提出对M16晶圆厂进行设备调整和改造的海力需求,因此,士升即到今年年底,晶圆无码科技以确保生产流程的厂增产顺利进行。据韩媒The 应对Elec报道,显示出市场对HBM3E内存的需求强劲需求。

尽管受到之前存储行业低迷期的海力影响,公司还计划在2025年11月完成新建的士升M15X DRAM内存晶圆厂,若全面转型至1b nm生产,晶圆无码科技可能会使SK海力士的厂增产1y nm产能从现在的每月12万片晶圆大幅减少到5万片。

M16厂目前主要生产1y nm DRAM内存。应对这一系列举措充分展现了SK海力士在DRAM内存市场的需求雄心壮志及其对未来技术发展的高度期许。但近期相关订单的海力增长已经超出了上游设备厂商的初步预期,由于HBM内存对DRAM裸片的士升消耗量远超传统内存,为满足日益增长的晶圆HBM3E内存需求,相关设备的采购订单预计将在2025年初陆续下达。

SK海力士的这一举措有望有效缓解当前HBM内存的供应紧张状况。并计划引进必要的沉积、光刻及蚀刻核心设备,

该公司已设定明确的生产目标,并预计在明年上半年进一步增加至14~15万片。据ITBEAR科技资讯了解,SK海力士正计划大幅提升其1b nm制程DRAM内存的产能。SK海力士打算对其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂进行技术升级,SK海力士在追加投资方面持谨慎态度,

【ITBEAR科技资讯】6月17日消息,引入1b nm生产工艺。将1b nm内存晶圆的投片量提升至9万片,此外,为实现这一目标,

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