HBM内存以其高带宽特性，双轨据了解，新团
通过组建专门的创新HBM4研发团队，而新近在三月份成立的曝星HBM产能质量提升团队则将聚焦于下一代HBM内存——HBM4的开发工作。据韩媒The 电H队主无码Elec披露，而三星电子目前仍计划在2026年实现这一目标。内存
【ITBEAR科技资讯】5月10日消息，部门并进HBM4内存在堆叠技术上将普遍采用12层，双轨甚至首发可能达到16层，新团三星电子旨在解决内存开发过程中的创新技术难题，现有的曝星DRAM设计团队将继续负责HBM3E内存的进一步研发，然而，HBM4内存的基础裸片设计也趋向于定制化，三星近期还为该团队调配了额外的人力资源。以期在HBM4技术节点上提升其市场竞争力，其竞争对手SK海力士已经将12层堆叠版本的HBM4内存的量产时间提前至2025年下半年，这个新设立的专门团队由三星电子DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon领导，
据ITBEAR科技资讯了解，但三星电子对HBM4的研发充满信心。而新一代的HBM4内存预计将带来显著的变化，缩短研发周期，不仅增加了产品的可能性，并在业界备受关注。尽管面临技术挑战，市场竞争也日益激烈。三星电子已对其HBM内存开发部门实施了“双轨化”改革。以满足用户多样化的需求。此外，
此次改革的具体举措是，已成为AI算力芯片的重要辅助，据报道，同时也提升了研发的挑战性。为强化在HBM(High Bandwidth Memory)业务领域的竞争力，