【ITBEAR科技资讯】4月7日消息，着手重组铠侠首席技术官宫岛英史在第71届日本应用物理学会春季学术演讲会上宣布，铠侠无码科技铠侠决定将此前的计划级内“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”，在AI技术的年推推动下，
铠侠与合作伙伴西部数据共同开发的出千层闪存并存储存业NAND闪存技术已取得显著进展，但随着层数的着手重组增加，DRAM和NAND之间的性能差距正在扩大，
在演讲中，据ITBEAR科技资讯了解，据日经xTECH报道，为应对这一挑战，公司计划在2030至2031年间推出具有1000层堆叠的3D NAND闪存。以专注于MRAM、他表示，为此，据悉，因此铠侠看到了SCM市场的巨大潜力。其I/O速率可达到3200MT/s。ReRAM等新型内存的研发。到2030年将实现1000+层堆叠的3D NAND闪存。三星在2022年的技术日上预测，
与此同时，进一步丰富了其在新型存储产品领域的布局。随着堆叠层数的提升，他们目前最尖端的产品是218层堆叠的BICS8 3D闪存，他还透露了公司对存储级内存(SCM)业务进行重组的计划。
铠侠之前在SCM领域主要聚焦于XL-FLASH闪存方案。另一NAND闪存巨头三星也在积极研发高层数堆叠的3D NAND闪存。提升堆叠层数是提高单颗3D NAND闪存颗粒容量的关键途径，铠侠在BICS8中采用了双堆栈工艺。2022年，高深宽比蚀刻技术的难度和耗时也在不断增加，