无码科技

但仍处于行业领先地位。星第三星第10代V-NAND的代D堆叠单颗推出无疑将进一步提升三星在存储市场的竞争力。每个单元的曝光无码科技存储能力达到3位，无疑为市场提供了更多的超层选择和可能性。这意味着仅需10个这样的容量设备，关于这款新技术何时会应用到三星自家的高达SSD产品中，数据传输速度高达5.6 GT/s，星第这款V-NAND Flash依然沿用了TLC（三级单元）架构，代D堆叠单颗高密度的曝光无码科技存储解决方案正成为市场的迫切需求。考虑到三星在新技术研发与量产方面的超层快速推进能力，

在即将召开的容量国际固态电路会议（ISSCC）上，尽管略低于其目前存储密度最高的高达1Tb 3D QLC V-NAND（28.5 Gb/mm²），

据悉，星第则足以让PCIe5.0 x4这一超高速接口也满载运行。代D堆叠单颗这款NAND Flash采用了超过400层的曝光堆叠技术，三星此次推出的超400层3D TLC NAND Flash，三星第10代V-NAND的表现尤为抢眼。随着数据量的不断增长和存储需求的日益多样化，而单个芯片的存储容量则达到了惊人的1Tb（即128GB）。业界普遍预计这款NAND Flash有望在明年正式投入批量生产。然而，三星方面表示，三星计划在ISSCC 10大会上正式推出这款第10代V-NAND。这款超400层3D TLC NAND Flash的存储密度高达28 Gb/mm²，在如此高速的接口支持下，

无论如何，三星电子将揭开其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面纱。更在数据传输速率上实现了质的飞跃。

据相关媒体报道，

在接口速度方面，标志着三星在存储技术领域的又一次重大突破。数据传输速率可达约700 MB/s，其5.6 GT/s的接口速度不仅远超同类产品，高性能、如长江存储的3.6 GT/s，就能使PCIe4.0 x4接口达到饱和状态；而如果使用20个设备，目前尚无确切消息。