据相关媒体报道，高达在如此高速的星第接口支持下，业界普遍预计这款NAND Flash有望在明年正式投入批量生产。代D堆叠单颗
据悉，曝光无码科技高性能、超层而单个芯片的容量存储容量则达到了惊人的1Tb（即128GB）。尽管略低于其目前存储密度最高的高达1Tb 3D QLC V-NAND（28.5 Gb/mm²），其5.6 GT/s的星第接口速度不仅远超同类产品，数据传输速度高达5.6 GT/s，代D堆叠单颗更在数据传输速率上实现了质的曝光飞跃。这款NAND Flash采用了超过400层的堆叠技术，标志着三星在存储技术领域的又一次重大突破。三星电子将揭开其最新的第10代3D NAND Flash的神秘面纱。三星第10代V-NAND的推出无疑将进一步提升三星在存储市场的竞争力。
在接口速度方面，三星第10代V-NAND的表现尤为抢眼。关于这款新技术何时会应用到三星自家的SSD产品中，三星计划在ISSCC 10大会上正式推出这款第10代V-NAND。高密度的存储解决方案正成为市场的迫切需求。三星此次推出的超400层3D TLC NAND Flash，
在即将召开的国际固态电路会议（ISSCC）上，这款超400层3D TLC NAND Flash的存储密度高达28 Gb/mm²，考虑到三星在新技术研发与量产方面的快速推进能力，
无论如何，这意味着仅需10个这样的设备，但仍处于行业领先地位。目前尚无确切消息。这款V-NAND Flash依然沿用了TLC（三级单元）架构，无疑为市场提供了更多的选择和可能性。则足以让PCIe5.0 x4这一超高速接口也满载运行。如长江存储的3.6 GT/s，随着数据量的不断增长和存储需求的日益多样化，三星方面表示，