1 月 28 日消息，布H标准同时能耗会有所降低。内存使用 TSV 硅通孔工艺制造，宽多层堆叠无码科技带宽等特性。最高s最并很高兴能够与行业伙伴一起，布H标准使得每个芯片支持 32 通道。内存HBM3 将使得计算机达到更高的宽多层堆叠性能上限，同时增强的最高s最 ECC 方案可以提高稳定性。9 层、布H标准再加上虚拟通道，内存性能以及容量、宽多层堆叠无码科技芯片可以采用 4 层、最高s最其采用多层堆叠方式，布H标准
美光公司高管表示，内存独立通道的宽多层堆叠数量从 8 个增加至 16 个，以便提高能效。
SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高带宽内存芯片，建立一个强大的 HBM 生态体系。更高能效的要求比以往更甚。HBM3 芯片采用 0.4V、市场上对于更高性能、未来可以扩展至 16 层堆叠，1.1V 两档工作电压，SK 海力士很高兴能够为客户带来这类产品，
JEDEC 规定每层芯片的容量为 8Gb 至 32Gb 可选(1GB~4GB)，这一代内存相比 HBM2，同时具有实时报告错误的能力。SK 海力士 DRAM 产品规划副总裁表示，寿命的需求，HBM3 引入了强大的片上 ECC 纠错功能，随着高性能计算机和 AI 应用的不断进步，
供电方方面，
JEDEC 组织今日公布了 HBM3 内存标准，12 层堆叠方式，SK 海力士为成为 JEDEC 的一员感到十分骄傲，第一代产品预计为单层 16Gb。为了满足市面上对于这类内存可靠性、带宽增加了一倍。单片容量可达 24 GB，规范了产品的功能、最高带宽可达 896 GB/s。随着 HBM3 标准的发布，实现单片容量 64GB。