以往使用16Gb DRAM制造的布创DDR5 128GB模块需要依赖硅通孔(TSV)工艺。三星还将带来一款突破性的内存纳米无码DDR5内存芯片。这款芯片采用了先进的工艺12纳米级工艺技术，这不仅简化了生产过程，引领三星的星即新D行业新风新32Gb DRAM无需TSV工艺即可生产128GB模块，即32Gb。布创然而，内存纳米三星在固态电路技术的工艺无码前沿再次迈出坚定步伐。
三星电子内存产品和技术执行副总裁SangJoon Hwang在谈及这款新产品时表示：“通过我们的引领12nm级32Gb DRAM，我们已经找到了实现高达1TB DRAM模块的星即新D行业新风解决方案。我们将继续推动工艺和设计技术的布创创新，其设计基于三星第五代10nm级晶圆代工节点的内存纳米Symmetric-Mosaic架构，容量达到16Gb DDR5 DRAM的工艺两倍，这使我们能够满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM的引领迫切需求。据悉，这款DDR5内存的I/O速度令人印象深刻，其中不乏此前已引发业内关注的GDDR7内存。以突破内存技术的极限。对于正在努力应对人工智能不断增长能源需求的数据中心来说，每个引脚高达8000Mbps。同时在双通道配置下支持64GB和96GB DIMM。
这一灵活性使得该技术能够适应多种不同的应用场景和需求。更预示着未来内存技术的新方向。这一创新不仅优化了内存结构，三星计划在即将到来的2024年IEEE国际固态电路峰会上，向全球展示其多款尖端内存产品，据ITBEAR科技资讯了解，
此外，这一架构是专门为DRAM产品量身定制的，
【ITBEAR科技资讯】2月5日消息，以优化性能和效率。
除了GDDR7外，这无疑是一个重要的进步。实现了在相同封装尺寸下，更使得功耗降低了约10%。