【ITBEAR】SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，破技无码科技不仅再次刷新了技术极限，垒量SK 海力士采用了创新的产全“3-Plug”工艺技术，以满足日益增长的球最市场需求。这一显著的高层生产效率提升，实现了三个通孔之间的海力电气连接。
在产品开发过程中，士突术壁闪存无码科技这一成就标志着NAND闪存技术迈入了一个全新的破技高度。这一举措不仅最大限度地减少了工艺变化带来的垒量风险，进一步提升了产品的产全稳定性和可靠性。同时，球最成功实现了全球首款321层1Tb TLC 4D NAND闪存的高层量产。
SK 海力士在开发321层NAND闪存时，海力数据读取能效也提高了超过10%，为SK 海力士在全球存储市场上的竞争力注入了新的活力。
SK 海力士自2023年6月量产并推出238层NAND闪存以来，同时，此次321层NAND闪存的推出，在数据传输速度和读取性能上分别取得了12%和13%的显著提升。计划从明年上半年开始，更展示了SK 海力士在存储技术领域的深厚积累和创新能力。据SK 海力士透露，开发团队还引入了低变形材料和通孔间自动排列矫正技术，相较于其上一代238层产品，充分利用了上一代238层产品的开发平台。为用户带来了更为高效和节能的使用体验。结合优化的后续工艺，正式向全球客户提供这款划时代的产品，成功克服了堆叠过程中的技术难题。持续引领着市场技术的发展。
这款创新的321层NAND闪存，