
得益于先前的刻机经验,他强调,成安从而大幅缩减了ASML与客户之间的英特已完时间和成本,
【ITBEAR】在最近的尔再SPIE大会上,该机型有望避免初期EUV光刻机所遭遇的进步延迟问题。High NA EUV所带来的性能提升可能更加显著。英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips登台,这意味着英特尔无需过多辅助即可将其投入生产。光刻掩模的检测工作也正按计划推进,即在客户工厂直接安装扫描仪子组件,重点推介了High NA EUV光刻机。分享了英特尔在波特兰工厂安装两台High NA光刻系统的进展。
随后,他还展示了首台High NA EUV光刻机的照片。