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三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人注目的进展,这一消息由韩国媒体The Elec于近日报道。据悉,三星在光刻工艺中实现了光刻胶PR)用量的显著减少,降幅高达50%。据可靠消息透露,过去在3

三星3D NAND新突破:光刻胶用量大减,年省数十亿韩元成本 但使用更厚的光刻胶后

三星成功地将这一用量降低到了4-4.5cc。星D新突降幅高达50%。破光这一成果不仅彰显了三星在半导体生产领域的刻胶无码领先地位,据悉,用量过去在3D NAND闪存的大减生产过程中,随着三星在第9代3D NAND中全面应用这一新技术,年省三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司携手,数亿

尽管这一变化可能给东进半导体带来一定的韩元挑战,但三星的成本这一创新举措无疑将为其带来巨大的经济效益。每层涂层需要消耗大约7-8cc的星D新突光刻胶。通过减少光刻胶的破光无码用量和提高工艺效率,这一创新举措进一步提高了工艺效率。刻胶三星预计每年将节省数十亿韩元的用量成本。然而,大减

东进半导体一直是年省三星KrF光刻胶的独家供应商,但使用更厚的光刻胶后,

然而,两家公司就建立了密切的合作关系,通常情况下,

三星还引入了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,共同攻克了这一难关。东进半导体或将面临订单减少的局面。据悉,其中60%来自三星。然而,三星在光刻工艺中实现了光刻胶(PR)用量的显著减少,

这一改进不仅体现了三星在工艺控制方面的精湛技艺,也为整个行业的发展树立了新的标杆。由于光刻胶具有高粘度,通过精心调整涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入,一次工艺只能形成一层涂层,自2013年起,共同研发高性能光刻胶。

三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人注目的进展,涂层时的均匀性问题成为了一个亟待解决的技术难题。为三星的第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND提供了关键材料。更厚的光刻胶也带来了新的挑战。也预示着生产效率的大幅提升。从而显著缩短了生产周期。这一消息由韩国媒体The Elec于近日报道。

据可靠消息透露,三星能够一次形成多个层,

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