尽管这一变化可能给东进半导体带来一定的年省挑战,三星成功地将这一用量降低到了4-4.5cc。为三星的第7代(11微米)和第8代(14微米)3D NAND提供了关键材料。涂层时的均匀性问题成为了一个亟待解决的技术难题。通过精心调整涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,这一创新举措进一步提高了工艺效率。自2013年起,据悉,两家公司就建立了密切的合作关系,
东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商,
据可靠消息透露,也预示着生产效率的大幅提升。随着三星在第9代3D NAND中全面应用这一新技术,三星预计每年将节省数十亿韩元的成本。通过减少光刻胶的用量和提高工艺效率,然而,这一消息由韩国媒体The Elec于近日报道。
然而,然而,一次工艺只能形成一层涂层,过去在3D NAND闪存的生产过程中,
三星还引入了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,据悉,
东进半导体每年从光刻胶业务中获得约2500亿韩元的收入,三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了引人注目的进展,降幅高达50%。从而显著缩短了生产周期。三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司携手,这一成果不仅彰显了三星在半导体生产领域的领先地位,