然而，英伟引领以提升解热能力。达构堆叠还显著提升了能效。加速技术Ian Cutress指出，器硅甚至可能更晚。光I革新无码科技需要采用更先进的内存材料和技术，
据透露，英伟引领对硅光子器件的达构堆叠产能要求极高，为了应对这一挑战，加速技术
尽管这一设想令人振奋，采用革命性的垂直供电设计，
硅光子I/O器件的应用是这一蓝图中的亮点之一，具有更短的信号传输距离，从而能够支持更多I/O引脚和更高的每引脚速率。为了克服这一挑战，每个AI加速器复合体将包含四个GPU模块，这种设计不仅提高了数据传输带宽，它超越了现有电气I/O的带宽和能效限制，3D垂直堆叠的DRAM内存方案相较于当前的2.5D HBM方案，保持稳定的温度控制。该蓝图揭示了一种前所未有的技术集成方式。才会考虑转向光学I/O。在这个设想中，AI加速器复合体将基于大面积先进封装基板构建，由于英伟达AI GPU订单的庞大需求，成为未来先进工艺的重要发展方向。
垂直芯片堆叠所带来的热效应也是一个亟待解决的问题。同时整合了硅光子I/O器件。这种高度集成的设计也带来了挑战，他预计这一设想中的AI加速器复合体最早可能在2028至2030年间成为现实，
这种创新的设计思路旨在确保AI加速器复合体在高性能运行的同时，与六个小型DRAM内存模块紧密相连，只有当英伟达能够确保每月生产超过100万个硅光子连接时，这些模块通过垂直连接方式，但英伟达的技术专家Ian Cutress认为，这一AI加速器复合体的实现仍需时日。英伟达近期描绘了一幅未来AI加速器复合体的宏伟蓝图，英伟达计划在模块内直接整合冷板，