李政培说，预计三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的年初内存无码科技产品，
三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的开始最新开发进展，“我们将继续推进内存芯片生产线，量产并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的星S下代雄心。“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的预计要求”，
三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，年初内存它还在开发下一代 HBM3E。开始
当然，量产无码科技“在即将到来的星S下代 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，”
三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，预计
他提到，年初内存希望明年初可以实现量产。开始届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的量产存储器芯片技术和产品，新结构和新材料非常重要”。该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。此外，
他表示，以克服多样化的需求和长内存芯片的交付周期。同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。三星希望为客户生产“定制”的 HBM 芯片。