三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，开始以克服多样化的量产需求和长内存芯片的交付周期。希望明年初可以实现量产。星S下代“我们将继续推进内存芯片生产线，预计三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料；对于 NAND 闪存，年初内存三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的开始产品，量产无码科技三星正在通过增加堆叠层数、星S下代
三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，预计同时降低高度来实现半导体行业最小的年初内存单元尺寸。新结构和新材料非常重要”。开始“在即将到来的量产 10nm 以下 DRAM 和超过 1000 层的 V-NAND 芯片时代，该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。
三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，三星希望为客户生产“定制”的 HBM 芯片。“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的要求”，
他表示，AI 芯片对三星电子来说也至关重要。此外，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。
李政培说，它还在开发下一代 HBM3E。
当然，
他提到，