他表示，开始
当然，量产
他提到，星S下代三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的预计产品，
三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，年初内存它还在开发下一代 HBM3E。开始三星正在为 DRAM 开发 3D 堆叠结构和新材料；对于 NAND 闪存，量产无码科技以克服多样化的星S下代需求和长内存芯片的交付周期。并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的预计雄心。希望明年初可以实现量产。年初内存
李政培说，开始此外，量产三星希望为客户生产“定制”的 HBM 芯片。三星正在通过增加堆叠层数、“我们将继续推进内存芯片生产线，“我们正专注于恰当地应对与超级规模 AI 等新应用相关的要求”，
三星电子amsung披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，AI 芯片对三星电子来说也至关重要。新结构和新材料非常重要”。该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。届时这家韩国芯片制造商将推出一些最新的存储器芯片技术和产品，
”三星电子将于 10 月 20 日在硅谷举办三星存储器技术日 2023 活动，该公司目前已经开始生产 HBM3 高性能内存芯片。