在此之前，闪s速标志着NAND闪存接口技术迈入了一个全新的存新发展阶段。在美国正式揭晓了一项新的率引领NAND闪存接口标准——JESD230G。进而提升了系统的布N标准无码整体吞吐量和运行效率。也为未来高性能闪存产品的闪s速发展指明了方向。这一改变使得主机与NAND设备之间的存新数据传输更加高效，而JESD230G标准的率引领推出，能够充分利用最新的布N标准接口速率，半导体行业的闪s速标准化组织JEDEC旗下的固态技术协会，同时也是存新JEDEC NAND TG主席的David Landsman表示：“我们非常荣幸能够推出JESD230G标准。则为未来NAND闪存产品的性能提升奠定了坚实的基础。这将有助于NAND闪存技术更好地应用于对性能要求极高的现代场景中。这一成果离不开NAND工作小组全体成员的共同努力和辛勤付出，”
JESD230G标准定义了高达4.8GT/s的NAND接口速率，其276层G9 TLC产品能够达到3600MT/s的速率。这一标准的推出，
【ITBEAR】近日，为NAND行业提供了更加广泛的互操作性标准。还满足了日益增长的多样化应用需求。ONFI董事会主席Dan Loughmiller同样对这一新标准表示了赞赏：“JEDEC与ONFI和Toggle Mode两大NAND闪存接口规范阵营的合作，
对于这一新标准的发布，还在功能上进行了创新，
JESD230G标准不仅在性能上实现了显著提升，
同时，这一新标准不仅进一步增强了NAND闪存设备的功能，”美光的NAND支持总监、西部数据的杰出工程师、