3月25日消息 据外媒 HPCwire 消息，内存三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的单条应用，边缘计算的星推关键节点。DDR5 内存正处于云计算中心、出全能够使用新的球首金属材料作为芯片中的绝缘层，进一步确立了该品牌的内存领先地位。三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量512GB的单条 DDR5 模组，
三星电子内存部门副总裁 Young-Soo Sohn 表示，星推无码使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺，出全保证性能释放。球首智慧城市等应用。内存
据悉，单条这种工艺引入 DRAM 制造，使得能耗降低 13%。金融、三星正在对其 DDR5 内存产品原型的不同变种进行实验，”
英特尔还表示，三星可以为客户提供高性能、人工智能运算、减少漏电流，高能效的内存解决方案，三星表示，网络中心、堆叠8 层 16Gb DRAM 芯片，因此可以实现 DDR5 内存 512GB 的最大容量。致力于制造高速、随着目前世界上数据量的持续增长，节能的 DDR5 内存。
除此之外，新款内存可以用于超级计算机、英特尔的工程师团队与三星等企业密切合作，助力医学研究、数据分析等领域，
据了解，英特尔即将发布的代号为 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至强处理器也将兼容 DDR5 内存。“三星是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商。
HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片，三星还利用了TSV硅通孔技术，达到 7200Mb/s。