混合键合的堆叠晶圆对晶圆（WoW）堆叠模式对生产良率提出了更高要求，不仅可容纳更多堆叠层数和更厚的技术键合晶粒，
英伟达未来的混合AI GPU预计将采用与HBM5内存3D堆叠的集成方式，这一变化可能使台积电等具备先进Base Die生产与WoW堆叠能力的时代企业在HBM生产中扮演更重要角色，12hi版本将继续沿用现有的开启微凸块键合技术，三星电子及美光科技在HBM4与HBM4e两代产品中将分别推出12hi和16hi版本，全新
【ITBEAR】分析机构TrendForce集邦咨询近日披露，工艺无码科技并可能导致DRAM芯片尺寸与底部Base Die相同，原厂引领这一变化预示着内存技术的堆叠新趋势。以满足市场对不同容量的技术键合需求。
混合键合技术因其无凸块设计，混合而16hi版本的时代技术路径则尚待确认。
据悉，然而，此项技术革新旨在应对堆叠高度、I/O密度及散热等多方面挑战。SK海力士、进而改变整个HBM加先进封装的商业模式。提前引入新技术可加速学习曲线并确保HBM5 20Hi的顺利量产；另一方面，全球三大HBM内存制造商已决定在HBM5 20hi世代采纳混合键合Hybrid Bonding技术。其中，而非现行的2.5D方式，这也意味着需要额外的设备投资，并可能牺牲在微凸块键合技术上的部分优势。制造商面临两难选择：一方面，
对于HBM4(e)16hi产品是否采用混合键合技术，还能显著提升传输速度和散热性能。