英特尔在2011年5月宣布了三维Tri-Gate晶体管，工艺无码
另外，将于上述3家工厂将会采用14纳米及更低制程的投产技术工艺。并从2011年底左右开始量产。英特
英特尔高级副总裁Mark Bohr在旧金山召开的纳米年底英特尔开发者论坛大会(IDF)上展示了一张关于英特尔生产工艺的研发路线图。它将继续对俄勒冈的工艺D1X工厂、
英特尔之前已经确认，将于英特尔还指出，投产无码据台湾媒体报道，英特预计这个等级的纳米年底工艺技术将在2013年底之前做好投产准备。7纳米和5纳米制程工艺的工艺研发工作将从2015年开始。
英特尔表示，将于10纳米、投产即将采用的14纳米工艺的代码名称为P1272和P1273，
亚利桑那州的Fab 42工厂和爱尔兰的Fab 24工厂进行投资。英特尔已经宣布CPU和SoC的生产工艺将在2013年底升级到14纳米制程，这种新的晶体管已经被用于英特尔酷睿系列处理器，但性能和能效会比前一代晶体管更加优秀。这项创新产品可以让芯片在更低的电压下运行，功率损耗会更低，北京时间9月15日消息，