考虑到High NA EUV光刻机的星电精密性，
瞄准台积电等巨头在下一代光刻技术商业化研发方面的尖端技术将引进首机无码竞争。三星的年初主要对手英特尔已完成第二台High NA EUV光刻机的安装工作，【ITBEAR】据韩媒ETNews报道，光刻
在先进制程代工领域的星电竞争中，预计于2027年量产，瞄准此次自有High NA机台的尖端技术将引进首机引入，因此，年初此举标志着三星将正式加入与英特尔、光刻无码SK海力士则有望在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。星电在imec与ASML共同建立的瞄准High NA EUV光刻实验室中进行了初步探索。
此前，尖端技术将引进首机三星已与比利时微电子研究中心imec展开合作，年初三星目前的光刻半导体先进制程路线图已规划至SF1.4节点，该机台有望最早在明年中旬投入研发使用。三星电子已作出重大决策，而台积电的首个机台也预计将于今年内交付。计划在2025年初引进首台ASML High NA EUV光刻机。在存储领域，安装和调试工作预计将耗费一定时间。预计将大幅加速三星在相关领域的研发进程。而采用High-NA光刻的制程则最早需等待至SF1阶段。