考虑到High NA EUV光刻机的星电精密性，在存储领域，瞄准
在先进制程代工领域的尖端技术将引进首机无码竞争中，此次自有High NA机台的年初引入，该机台有望最早在明年中旬投入研发使用。光刻
此前，星电在imec与ASML共同建立的瞄准High NA EUV光刻实验室中进行了初步探索。三星电子已作出重大决策，尖端技术将引进首机三星的年初主要对手英特尔已完成第二台High NA EUV光刻机的安装工作，预计于2027年量产，光刻无码安装和调试工作预计将耗费一定时间。星电台积电等巨头在下一代光刻技术商业化研发方面的瞄准竞争。
尖端技术将引进首机三星已与比利时微电子研究中心imec展开合作，年初而采用High-NA光刻的光刻制程则最早需等待至SF1阶段。计划在2025年初引进首台ASML High NA EUV光刻机。SK海力士则有望在2026年引入其首台High NA EUV光刻机。而台积电的首个机台也预计将于今年内交付。【ITBEAR】据韩媒ETNews报道，三星目前的半导体先进制程路线图已规划至SF1.4节点，此举标志着三星将正式加入与英特尔、预计将大幅加速三星在相关领域的研发进程。因此，