
首次消息影响,散热性能较上一代提升了 10%,12 层 HBM3E的运行速度可达 9.6Gbps,
9 月 26 日消息,
此外,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。从而确保稳定性和可靠性。
实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量;公司将在年内向客户提供此次产品。SK 海力士股价在韩国涨超 8%,实现与现有的 8 层产品相同的厚度,同时容量提升 50%。SK 海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。并增强了控制翘曲问题,首次消息影响,散热性能较上一代提升了 10%,12 层 HBM3E的运行速度可达 9.6Gbps,
9 月 26 日消息,
此外,并采用硅通孔技术(TSV)技术垂直堆叠。从而确保稳定性和可靠性。
实现了现有 HBM 产品中最大的 36GB 容量;公司将在年内向客户提供此次产品。SK 海力士股价在韩国涨超 8%,实现与现有的 8 层产品相同的厚度,同时容量提升 50%。SK 海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。并增强了控制翘曲问题,