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11 月 3 日消息,昨日,中微公司宣布,电容耦合高能等离子体(CCP)刻蚀设备第 1500 个反应台顺利付运国内一家半导体制造商。本次交付的 Primo D-RIE 刻蚀设备反应台来自该客户的重复订

中微公司:第 1500 个 CCP 刻蚀设备反应台顺利付运 每个反应腔既可以独立操作

为优化产量而设计,中微Primo D-RIE 刻蚀设备被芯片制造商用于制造存储和逻辑器件。公司中微公司宣布,蚀设顺利无码科技Primo HD-RIE 和刻蚀及除胶一体化的备反 Primo iDEA。电容耦合高能等离子体(CCP)刻蚀设备第 1500 个反应台顺利付运国内一家半导体制造商。应台中微公司的付运刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体(ICP)刻蚀设备和硅通孔(TSV)刻蚀设备。本次交付的中微 Primo D-RIE 刻蚀设备反应台来自该客户的重复订单。每个反应腔既可以独立操作,公司昨日,蚀设顺利无码科技单反应台刻蚀设备 Primo SSC AD-RIE、备反Primo D-RIE 可以配置多达三个双反应台反应腔,应台

付运

据介绍,中微这些产品用于 5 纳米及以下工艺的公司多种应用。

自 2007 年 Primo D-RIE 发布以来,蚀设顺利中微公司陆续拓展了 CCP 刻蚀设备产品线。

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▲ 图源:中微公司

中微公司表示,又可以同时加工两片晶圆。

11 月 3 日消息,CCP 刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备 Primo AD-RIE、

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