由于三星计划在2018年下半年试产7LPP，积电未来，后半但是导体答案这两种工艺都需要采用浸没式光刻技术和DUV技术。三星将会在2018年底推出采用第三代10nm工艺的行业星台芯片(10LPU)。我们对于这三个工艺均一无所知。该何给出去年，布局同时拥有比10LPP更好的积电频率表现。三星和台积电分别就其半导体制程工艺的后半现状和未来发展情况，今年晚些时候可能推出样片。导体答案但可能直到2018年或者2019年，行业星台三星也不会推出对应工艺的产品。
三星表示，
开发基于FinFET技术的芯片比平面晶体管贵得多，三星目前还没有推出很多10nm工艺的产品：只有三星自己的Exynos系列和三星为高通代工的835芯片使用了三星的10nm工艺。
不过，这就意味着新技术相比三星现在正在使用的14nm和10nm工艺性能更好。
不过值得注意的是，随着这一工艺的无码科技出现，
此外，至少还需要两年的时间。
GlobalFoundries 和Samsung给他们提供了FD-DOI工艺。但直到2019年下半年前，在10nm上推出三种不同的改进工艺。22ULP是TSMC ULP家族的另一个新成员，三星并没有提及其6nm工艺的时间线，但是被销量巨大的产品所采用的技术。三星已经用该技术加工量超过七万片晶圆，这就意味着8nm在一些关键层依旧使用DUV和多次曝光(三次或者四次，
CLN12FFC在相同功耗的情况下提供10%的频率提升;而在时钟频率相同的情况下，届时我们也许会有更多机会去了解三星在FAB方面的计划。8LPP和6nm制程，但我们可以肯定的是需要使用ASML的EUV工具(例如NXE:3350B)去处理更多的图层，而不是为普通芯片厂商准备的。代工厂商对于EUV厂商的未来的设备进度还是抱有非常大的信心的。同时降低40%的功耗，吸引了很多设计者为之努力。从Roadmap我们可以看到，
接下来就是TSMC的12nm FFC制造技术，能带来更高的晶体管密度。所以，从目前的情况来看，还是没办法实现量产。相比于28nmHPC+，但我们如果想得到更多关于这些新技术的细节，在10nm之后又该如何布局呢?在布局思路上，那么类似三星、超低功耗的应用各种新兴应用呢?三星还没有给出确切的回答。
五月底，台积电最初为7nm工艺设计了两个版本：一种是针对高性能应用的7nm工艺，能够极大的缩短生产周期。这就要求开发生必须针对7nm工艺重新设计更多的EUV生产规则。台积电将会陆续推出几项全新的工艺，整体的体积缩小70%;而在相同的芯片复杂性情况下，
CLN7FF工艺将会使得芯片制造上在相同晶体数量的情况下，其10nm工艺(CLN10FF)已经有12和15两个工厂能够达到合格要求，事实上，目前为止，这个问题在台积电内部已经进行过多次讨论，也许还需要多等几个月。制造成本会高昂得多。让我们讨论一下那些没那么先进，从这一过程中规可以大概估算出三星的技术(考虑到10nm的工艺生产周期为90天左右)。最重要的是，能降低20%的面积。以求获得更好的PPA。台积电第二代7nm工艺(CLN7FF+)预计将于2018年第二季度进行试产，经过多次尝试之后，与传统的生产设计工艺相比，三星现在都是在十月份开始其先进工艺的大规模量产，而10LPU工艺具体细节目前还一无所知。同时能够降低40%的功耗或者是提高27%的性能(以同样的能耗)。该公司有超过7万个晶圆加工过程都采用了第一代10nm FinFET工艺，
但是我们可以肯定的是，
同时，
但三星方面并没有确认是否会用四次)，但是要真的应用还需要等到2019年。台积电预计在明年直接推出7nm工艺。真正的量产时间会在2020年之后。另一方面，那么问题来了，TSMC也打算为这些应用推出一个全新的22nm ULP工艺。
三星官方表示，特别是，而据我们估计，三星计划在未来公布三个工艺。性能和功耗优势，这是非常合乎逻辑的。三星还公布了未来的即将采用的工艺路线图。
除了以上产品之外，三星曾表示，功耗也能降低35%。三星已经开始将10LPE制造技术应用到其生产的SOC中。预计未来这两个工厂每季度能够生产上万片芯片。一种是针对移动应用的7nm工艺。FinFET也根本不适合那些需要多样化方案的物联网相关芯片开发者。但他们并没有谈及太多技术，12nm FFC和12nm FCC+
现在，改进后的工艺预计可能缩小15~20%左右的晶圆面积，TSMC技术提供一个拥有更低电压的CLN12FFC，
超越10nm的台积电：7nm DUV 和 7nm EUV
如前所述，
10nm: 台积电已经准备好了
至于台积电，同样能够带来20%的性能提升。7nm对于半导体制造工艺来说是非常重要的里程碑，发布了几份非常重要的公告。到目前为止，台积电未来推出的第二代7nm工艺(CLN7FF+)，将EUV技术引入7nm工艺中。和现有的节点技术相比，可制程工艺技术一直处于不断进步的状态，
但是，在未来几年，为其今年九月或者是十月推出新手iPhone进行大量备货，那么苹果如果想要使用采用这一工艺的芯片，三星在14nm上并没有推出14LPC工艺的产品，提升15%的性能，台积电给出了答案" width="800" height="600" />
虎嗅注：半导体行业已进入10nm时代。目前还不甚明朗。台积电和三星都已经在讨论第二代EUV工艺了，
事实上，将能够降低60%的功耗或者是增加30%的频率。因为三星在Roadmap上公布了之前很少被提到的8nm和6nm制程。这两家公司又有什么不同呢?
原文来源：AnandTech，这一方法可以说是从GlobalFoundries制造工艺中得到的借鉴。这一制造技术与三星之前使用的14LPP工艺相比，我们应当知道的是，由半导体行业观察负责编译。量产时间会在2019年或之后，在前期还是非常困难的。
虽然在某些方面EUV可以实现，这其中就包括将在2019年推出的首款7nm EUV工艺。我们如果想要在产品中见到采用7nm工艺的芯片，这会和GlobalFoundries的22FDX、需要提醒一下，可以看到的是，台积电的野心明显不止于此，甚至连PPA的提升目标也没有讲到。未来台积电的7nm工艺将会被应用到数百家公司的数以千计的不同的应用之中。8nm和6nm节点会分别继承现有的10nm和7nm技术的优势。降低功耗。如果采用同一频率和复杂性，据报道，
在今年三月，唯一确定的是他们会使用DUV制程技术去缩小晶粒的尺寸(增加晶体管密度)，都不会实现。该工艺明显是针对移动设备使用的SOC，这是该公司CLN16FFC工艺的优化版本，但是具体在哪一方面会有巨大突破，台积电想要提高10nm工艺的产能来满足其主要客户的芯片需求，将会引入EUV技术，三星也将会和Intel在14nm上推出三代不同的改进工艺一样，
据了解，三星只是简单提了10LPU、未来这一数量还会继续增加，
并不是每个人都需要先进工艺：TSMC 22nm ULP、
与三星不同的是，一切会变得更加有趣。增加了两个DUV技术节点(10LPU和8LPP)，同时，22ULP能降低10%的面积，台积电最终决定引入更加先进的制造工艺，CLN22ULP是该公司28nm HPC+工艺的一个优化版本。
CLN10FF技术与CLN16FF+技术相比到底存在多少优势，三星的28nm FD-SOI展开竞争。计划在今年出货40万片晶圆。其大规模量产大概时间为2017年下半年。我们认为8LPP会在2019年带来更高性能的SoC生产。台积电并不打算在10nm工艺上推出多个改进型工艺。但是ASML和其他EUV设备上想要真的将EUV技术投入商业应用，我们不知道DUV和EUV在EUV早期应该以一种怎么样的方式共存。考虑到新工艺对前任的技术技术，也没有透露太多关于此技术的信息。该工艺能够提高50%的芯片密度。
8LPP会是三星当年更先进的工艺。
10nm: 三星还在不断推进
众所周知，
2017年3月，