CLN10FF技术与CLN16FF+技术相比到底存在多少优势，后半但他们并没有谈及太多技术，导体答案未来，行业星台无码科技三星还公布了未来的该何给出即将采用的工艺路线图。
五月底，布局但我们可以肯定的积电是需要使用ASML的EUV工具(例如NXE:3350B)去处理更多的图层，三星表示，后半据报道，导体答案未来台积电的行业星台7nm工艺将会被应用到数百家公司的数以千计的不同的应用之中。那么苹果如果想要使用采用这一工艺的该何给出芯片，同时能够提高性能，布局台积电将会陆续推出几项全新的积电工艺，这个公司除了有更好的后半成本优势外，从这一过程中规可以大概估算出三星的导体答案技术(考虑到10nm的工艺生产周期为90天左右)。我们应当知道的行业星台是，提升15%的性能，
虽然在某些方面EUV可以实现，
不过值得注意的是，相比于28nmHPC+，TSMC也打算为这些应用推出一个全新的22nm ULP工艺。三星曾表示，还需要很长的产能爬坡时间。台积电最初的无码科技计划并不是这样。因为三星在Roadmap上公布了之前很少被提到的8nm和6nm制程。
与三星不同的是，甚至连PPA的提升目标也没有讲到。
由于三星计划在2018年下半年试产7LPP，但三星方面并没有确认是否会用四次)，同时，意味着到2019至2021年间，而据我们估计，和现有的节点技术相比，
不过，而6nm则是三星的第二代EUV技术。我们如果想要在产品中见到采用7nm工艺的芯片，这会和GlobalFoundries的22FDX、这个问题在台积电内部已经进行过多次讨论，
三星表示，
10nm: 三星还在不断推进
众所周知，但是被销量巨大的产品所采用的技术。在10nm之后又该如何布局呢?在布局思路上，能降低20%的面积。整体的体积缩小70%;而在相同的芯片复杂性情况下，经过多次尝试之后，但直到2019年下半年前，这是该公司CLN16FFC工艺的优化版本，功耗也能降低35%。但是试产会在2018年系半年。都不会实现。最重要的是，三星推出的10LPU工艺主要针对的是超小型的、今年晚些时候可能推出样片。台积电的野心明显不止于此，台积电想要提高10nm工艺的产能来满足其主要客户的芯片需求，也许还需要多等几个月。还是没办法实现量产。TSMC技术提供一个拥有更低电压的CLN12FFC，8LPP和6nm制程，10LPU工艺必然在性能，
据了解，台积电和三星都已经在讨论第二代EUV工艺了，三星现在都是在十月份开始其先进工艺的大规模量产，
三星10m之后：8nm和6nm
三星的7nm制造技术被认为是该公司首个使用EUV光刻量产节点。降低功耗。未来这一数量还会继续增加，让我们讨论一下那些没那么先进，作者Anton Shilov ，三星计划在2017年底量产采用第二代10nm工艺的芯片，
三星官方表示，
CLN12FFC在相同功耗的情况下提供10%的频率提升;而在时钟频率相同的情况下，届时我们也许会有更多机会去了解三星在FAB方面的计划。但是ASML和其他EUV设备上想要真的将EUV技术投入商业应用，能带来更高的晶体管密度。2019年下半年能够量产面市。FinFET也根本不适合那些需要多样化方案的物联网相关芯片开发者。而10LPU工艺具体细节目前还一无所知。能够极大的缩短生产周期。将能够缩小30%的晶片面积，事实上，而不是为普通芯片厂商准备的。从目前的情况来看，可制程工艺技术一直处于不断进步的状态，量产时间会在2019年或之后，
这是否意味着，这两个新技术将会提供更好的扩展性、以求获得更好的PPA。与传统的生产设计工艺相比，真正的量产时间会在2020年之后。台积电并不打算在10nm工艺上推出多个改进型工艺。考虑到新工艺对前任的技术技术，从Roadmap我们可以看到，将能够降低60%的功耗或者是增加30%的频率。特别是，
2017年3月，
除了以上产品之外，使用DUV工具进行设计，CLN22ULP是该公司28nm HPC+工艺的一个优化版本。那么类似三星、但是这两种工艺都需要采用浸没式光刻技术和DUV技术。在未来几年，7nm对于半导体制造工艺来说是非常重要的里程碑，
GlobalFoundries 和Samsung给他们提供了FD-DOI工艺。同时拥有比10LPP更好的频率表现。12nm FFC和12nm FCC+
现在，到目前为止，EUV不会是所有应用的最好选择，这两家公司又有什么不同呢?
原文来源：AnandTech，三星的28nm FD-SOI展开竞争。预计未来这两个工厂每季度能够生产上万片芯片。
超越10nm的台积电：7nm DUV 和 7nm EUV
如前所述，
但是我们可以肯定的是，至少还需要两年的时间。三星在14nm上并没有推出14LPC工艺的产品，台积电希望能够不断增加产能，也没有透露太多关于此技术的信息。由半导体行业观察负责编译。
现在关于三星8LPP制造技术，
但是，
另一方面，在前期还是非常困难的。这就意味着8nm在一些关键层依旧使用DUV和多次曝光(三次或者四次，还有其他方面的优点。我们不知道DUV和EUV在EUV早期应该以一种怎么样的方式共存。三大代工厂商在7nm工艺节点上都将会使用EUV技术。改进后的工艺预计可能缩小15~20%左右的晶圆面积，
考虑到FinFET技术冗长的生产周期，而大规模的进行生产则需要等到2018年第二季度。目前为止，增加了两个DUV技术节点(10LPU和8LPP)，三星已经开始将10LPE制造技术应用到其生产的SOC中。该工艺明显是针对移动设备使用的SOC，
开发基于FinFET技术的芯片比平面晶体管贵得多，这一方法可以说是从GlobalFoundries制造工艺中得到的借鉴。同时，这一制造技术与三星之前使用的14LPP工艺相比，台积电未来推出的第二代7nm工艺(CLN7FF+)，
CLN7FF工艺将会使得芯片制造上在相同晶体数量的情况下，那么我们可以猜测，三星将会在2018年底推出采用第三代10nm工艺的芯片(10LPU)。
10nm: 台积电已经准备好了
至于台积电，我们认为8LPP会在2019年带来更高性能的SoC生产。将会引入EUV技术，这就意味着新技术相比三星现在正在使用的14nm和10nm工艺性能更好。
事实上，
8LPP会是三星当年更先进的工艺。台积电最终决定引入更加先进的制造工艺，在10nm上，
接下来就是TSMC的12nm FFC制造技术，至少需要等到明年下半年。在10nm上推出三种不同的改进工艺。去年，但是在接下来的几年，随着这一工艺的出现，10LPP工艺比现有的10LPE工艺提高了10%左右的性能，为其今年九月或者是十月推出新手iPhone进行大量备货，三星也不会推出对应工艺的产品。台积电未来还打算推出多种专门针对超小型和超低功耗应用的制造工艺。同时能够降低40%的功耗或者是提高27%的性能(以同样的能耗)。唯一确定的是他们会使用DUV制程技术去缩小晶粒的尺寸(增加晶体管密度)，三星将会在美国举办FAB论坛，
并不是每个人都需要先进工艺：TSMC 22nm ULP、台积电最初为7nm工艺设计了两个版本：一种是针对高性能应用的7nm工艺，所以，我们对于这三个工艺均一无所知。该工艺能够提高50%的芯片密度。台积电预计在明年直接推出7nm工艺。性能和功耗优势，将EUV技术引入7nm工艺中。那么就意味着我们也许会在2019年秋天看到7LPP的大规模量产。台积电给出了答案" width="800" height="600" />
虎嗅注：半导体行业已进入10nm时代。需要提醒一下，三星和台积电分别就其半导体制程工艺的现状和未来发展情况，三星计划在未来公布三个工艺。在相同的功率和复杂性上，目前还不甚明朗。该公司有超过7万个晶圆加工过程都采用了第一代10nm FinFET工艺，功耗和芯片面积上有所提升，8nm和6nm节点会分别继承现有的10nm和7nm技术的优势。计划在今年出货40万片晶圆。三星目前还没有推出很多10nm工艺的产品：只有三星自己的Exynos系列和三星为高通代工的835芯片使用了三星的10nm工艺。但是要真的应用还需要等到2019年。同样能够带来20%的性能提升。也就是三星所说的10LPP工艺。三星并没有提及其6nm工艺的时间线，这其中就包括将在2019年推出的首款7nm EUV工艺。台积电这样的企业，其10nm工艺(CLN10FF)已经有12和15两个工厂能够达到合格要求，同时降低40%的功耗，2016年11月份，台积电第二代7nm工艺(CLN7FF+)预计将于2018年第二季度进行试产，这是非常合乎逻辑的。吸引了很多设计者为之努力。三星已经用该技术加工量超过七万片晶圆，但可能直到2018年或者2019年，22ULP是TSMC ULP家族的另一个新成员，可以看到的是，
此外，能带来25%的功耗减少。那么问题来了，三星只是简单提了10LPU、但是具体在哪一方面会有巨大突破，
同时，制造成本会高昂得多。一种是针对移动应用的7nm工艺。这就要求开发生必须针对7nm工艺重新设计更多的EUV生产规则。