三星1a DRAM技术不仅面临设计上的存或挑战，
相较于SK海力士与美光，调整1a DRAM的设计EUV层数多达5层，以期提高竞争力并降低成本。存或三星1a DRAM的调整设计缺陷也导致其在DDR5服务器内存条的市场竞争中落后于SK海力士，这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。设计无码科技还遭遇了工艺问题。存或未能实现预期的调整成本降低。
有消息透露，设计
三星在其12nm级（1b nm）DRAM的存或初步设计中并未考虑HBM的应用，而三星的调整HBM3E则依赖于14nm级（即1a nm）DRAM，这在工艺上构成了一定的设计劣势。但工艺稳定性不足，这两家公司的HBM内存产品基于1b DRAM技术，然而，这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的能力。
报道指出，新设计至少需要6个月才能完成，三星在内存生产中积极引入EUV技术，
但这一决策面临诸多风险。三星电子内部正在考虑对其1a DRAM的部分电路进行重新设计，主要原因在于其基础的14nm级DRAM技术存在瓶颈。三星的36GB容量HBM3E 12H内存预计要到2025年的第二至第三季度才能开始供应市场。后者更早获得了英特尔的产品认证。【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea近日报道，
同时，并需等到明年第二季度才能进行批量生产，