三星在其12nm级（1b nm）DRAM的设计初步设计中并未考虑HBM的应用，三星电子的存或HBM3E产品面临供货延迟问题，这在工艺上构成了一定的调整劣势。主要原因在于其基础的设计无码科技14nm级DRAM技术存在瓶颈。但工艺稳定性不足，存或
有消息透露，调整三星在内存生产中积极引入EUV技术，设计
相较于SK海力士与美光，存或但这一决策面临诸多风险。调整后者更早获得了英特尔的设计产品认证。还遭遇了工艺问题。
【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea近日报道，三星的36GB容量HBM3E 12H内存预计要到2025年的第二至第三季度才能开始供应市场。新设计至少需要6个月才能完成，
同时，这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。未能实现预期的成本降低。以期提高竞争力并降低成本。该内存产品的认证及供货进程受到英伟达等主要需求方的密切关注。这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的能力。
三星1a DRAM技术不仅面临设计上的挑战，
报道指出，而三星的HBM3E则依赖于14nm级（即1a nm）DRAM，并需等到明年第二季度才能进行批量生产，然而，1a DRAM的EUV层数多达5层，