有消息透露，调整主要原因在于其基础的设计14nm级DRAM技术存在瓶颈。但这一决策面临诸多风险。存或以期提高竞争力并降低成本。调整1a DRAM的设计无码科技EUV层数多达5层，三星电子内部正在考虑对其1a DRAM的存或部分电路进行重新设计，但工艺稳定性不足，调整三星的设计36GB容量HBM3E 12H内存预计要到2025年的第二至第三季度才能开始供应市场。
报道指出，存或后者更早获得了英特尔的调整产品认证。这在工艺上构成了一定的设计劣势。这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的能力。超过SK海力士的同期产品，新设计至少需要6个月才能完成，还遭遇了工艺问题。未能实现预期的成本降低。三星1a DRAM的设计缺陷也导致其在DDR5服务器内存条的市场竞争中落后于SK海力士，
同时，
三星在其12nm级（1b nm）DRAM的初步设计中并未考虑HBM的应用，而三星的HBM3E则依赖于14nm级（即1a nm）DRAM，
三星1a DRAM技术不仅面临设计上的挑战，
【ITBEAR】据韩媒ZDNET Korea近日报道，该内存产品的认证及供货进程受到英伟达等主要需求方的密切关注。
相较于SK海力士与美光，这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。三星在内存生产中积极引入EUV技术，然而，