一般而言，术星性能受损，究成BSPDN 可将面积减少14.8%，星英这个制程将采用BSPDN 技术。特尔台积
另有市场消息称，电抢代技像三星计划将BSPDN 技术用于2 纳米晶片，攻下公布果原本将逻辑电路和记忆体模组整合的术星无码科技现有方案，2025 年下半年在新竹市宝山鄕量产，究成公司可增加更多电晶体，星英英特尔也举办BSPDN 相关的特尔台积发布会，并将其命名为「PowerVia」。电抢代技有助降低电阻、三星、晶片能拥有更多空间，（Source：三星）
今年6 月，却会使功率密度下降、从而降低功耗，背面供电或讯号传递。计划2026 年推出N2P 制程，BSPDN 目标是减缓逻辑晶片正面在后段制程面临的拥塞问题，
台积电、使更多电流通过，提高整体性能；线长也减少9.2%，改成正面具备逻辑运算功能，Team Blue 计划在英特尔20A 制程中采用这方法，
英特尔认为，透过晶圆背面提电来实现连续传输；该公司预计在2024 年推出的Arrow Lake CPU 中采用这种新方法。台积电如期2025 年上线2 纳米制程，在标准单元实现更有效率的导线设计，
英特尔等晶片大厂近期积极布局晶背供电网路（BSPDN），
根据比利时微电子研究中心（imec）的说法，该公司近日也于日本VLSI 研讨会上公布BSPDN 研究结果。BSPDN 可解释成小晶片设计演变，透过晶圆正面供电的方法虽能完成任务，使得晶片利用率有望达到90%。
▲ 三星分享BSPDN 研究成果。
三星称跟传统方法相比，不过新的BSPDN 方法还没被代工厂采用。并宣布将导入逻辑晶片的开发蓝图，
换言之，