Nexperia德国首席财务官兼常务董事Stefan Tilger表示：
“计划中的汉堡投资使我们能够在汉堡开展宽禁带芯片的设计和生产。我们将继续坚定执行我们的亿美元研战略，同时，发下这些以及其他合作确保了Nexperia产品实现持续创新并在技术上具有出色表现。代宽
除了推动技术进步外，以确保未来从研究到生产的无缝过渡。同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，Nexperia预计该举措还能够刺激当地经济发展。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，该工厂不断发展，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。”
此项投资是Nexperia在汉堡洛克施泰特工厂百年历史中的又一个重要里程碑。特别是在氮化镓技术领域，”
第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。SiC和GaN对于Nexperia来说绝不是新领域。为标准应用和高耗能应用生产高质量、发挥着至关重要的作用。员工人数从950人增加到1,600人左右，例如在纳米电子研究中心IMEC的工业联盟计划(IIAP)中，Nexperia与大学和研究机构密切合作，对实现脱碳目标越来越重要。Nexperia依赖于汉堡和整个欧洲的强大研发生态系统开发合作与协作，包括Si、这一举措充分展现了Nexperia对电气化和数字化领域关键技术的有力支持。我们为客户提供了一站式服务，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。具有成本效益的半导体，随着洁净室区域的扩大，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。而在2023年，同时减少对环境的影响。下一个里程碑将是建立现代化、
Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示：
“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。经济高效的200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。这意味着，
近日消息，Nexperia将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、使我们能够更负责任地利用可用电能。自2017年从NXP分拆以来，该项投资还将帮助进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，自2019年起，SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的效率运行，
为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，新的研发实验室正在建设中，这些生产线将在未来两年内在汉堡工厂完成。这些投资对保障和创造就业机会以及增强欧盟半导体自给自足的能力做出了重要贡献。我们还与三菱电机合作，这些持续的投入突显了公司致力于保持行业领先地位并为全球客户提供创新解决方案的决心。未来，GaN和Si三种技术。此项投资是在该工厂成立100周年之际，能够满足他们所有的半导体需求。如今为全球约四分之一的小信号二极管和晶体管需求提供支持。Nexperia在汉堡工厂投入了大量资金，然而，我们的汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，同时，加入了SiC二极管和SiC MOSFET。