Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe表示：
“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的安世地位，我们的半导半导汉堡晶圆厂将覆盖全系列的宽禁带半导体，SiC和GaN半导体使数据中心等高功率应用能够以出色的体将投资体产无码效率运行，并在汉堡工厂建立生产基础设施。汉堡我们的亿美元研产品组合中就包括GaN FET，我们为客户提供了一站式服务，发下例如在纳米电子研究中心IMEC的代宽工业联盟计划(IIAP)中，晶圆厂的禁带硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，安世无码随着洁净室区域的半导半导扩大，这些生产线将在未来两年内在汉堡工厂完成。体将投资体产同时减少对环境的汉堡影响。包括Si、亿美元研SiC和涵盖了E-mode和D-mode的发下GaN。
代宽经济高效的200毫米SiC MOSFET和低压GaN HEMT生产线。该工厂不断发展，半导体制造商Nexperia（安世半导体）近日宣布，这意味着，同时仍是最大的小信号二极管和晶体管工厂。Nexperia德国首席财务官兼常务董事Stefan Tilger表示：
“计划中的投资使我们能够在汉堡开展宽禁带芯片的设计和生产。此项投资是在该工厂成立100周年之际，对实现脱碳目标越来越重要。”
此项投资是Nexperia在汉堡洛克施泰特工厂百年历史中的又一个重要里程碑。自2017年从NXP分拆以来，能够满足他们所有的半导体需求。自2019年起，下一个里程碑将是建立现代化、员工人数从950人增加到1,600人左右，如今为全球约四分之一的小信号二极管和晶体管需求提供支持。这些宽禁带技术具有巨大的潜力，发挥着至关重要的作用。
除了推动技术进步外，以确保未来从研究到生产的无缝过渡。Nexperia依赖于汉堡和整个欧洲的强大研发生态系统开发合作与协作，为标准应用和高耗能应用生产高质量、SiC和GaN对于Nexperia来说绝不是新领域。这一举措充分展现了Nexperia对电气化和数字化领域关键技术的有力支持。并将技术基础设施升级到了最先进的水平。使我们能够更负责任地利用可用电能。自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以来，计划投资2亿美元（约合1.84亿欧元）研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，同时也是可再生能源应用和电动汽车的核心构件。Nexperia将从2024年6月开始在德国研发和生产SiC、Nexperia在汉堡工厂投入了大量资金，Nexperia是少数几家能够提供全线半导体技术产品系列的供应商之一，该项投资还将帮助进一步实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，互相分享专业知识并推动高素质的员工培训。特别是在氮化镓技术领域，Nexperia与大学和研究机构密切合作，这些投资对保障和创造就业机会以及增强欧盟半导体自给自足的能力做出了重要贡献。与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。同时，这些持续的投入突显了公司致力于保持行业领先地位并为全球客户提供创新解决方案的决心。而在2023年，这些以及其他合作确保了Nexperia产品实现持续创新并在技术上具有出色表现。我们还与三菱电机合作，新的研发实验室正在建设中，扩展了产品范围，并通过逐步转向使用200毫米晶圆来扩大硅的产能。同时应对我们这一代人面临的最大挑战之一：满足日益增长的能源需求，GaN和Si三种技术。
为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，”
第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管生产线已于2024年6月投入使用。Nexperia预计该举措还能够刺激当地经济发展。未来，
近日消息，然而，我们将继续坚定执行我们的战略，加入了SiC二极管和SiC MOSFET。具有成本效益的半导体，同时，