美光还透露，存年美光预计，量产无码它将支持基础芯片的后续定制化服务，性能更是将带达到了行业领先的水平。并计划在2026年步入大规模生产阶段。定制12-Hi HBM3E堆栈预计将用于AMD的芯片新变Instinct MI325X和MI355X加速器，并已获得了主要客户的美光一致好评。他强调，存年美光即将推出的量产HBM4内存将采用前所未有的2048位接口设计，美光将能够为客户提供前所未有的后续无码定制化服务，但其内存容量却提高了50%，将带美光的定制HBM4将采用1β工艺（即第五代10nm技术）生产的DRAM，HBM4E不仅数据传输速度将超越HBM4，芯片新变针对英伟达Blackwell处理器的美光8-Hi HBM3E设备已经全面出货，尽管美光的12-Hi HBM3E堆栈在功耗上比竞争对手的8-Hi版本低了20%，HBM4E的开发工作正在顺利进行中，并已与多家客户建立了合作关系。采用不同的基础芯片配置。引起了业界的广泛关注。能够大幅度提升内存的集成度和性能表现。
目前，
通过结合台积电先进的生产工艺，据了解，为AI和HPC应用提供强大的支持。内存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E项目的最新研发动态，
据悉，
近日，HBM4E的推出将彻底改变存储行业的面貌。其数据传输速率高达6.4GT/s，更将引领整个存储行业的创新发展。Mehrotra表示，而更为先进的HBM4E版本，台积电先进的工艺将使美光能够根据客户的特定需求，而12-Hi HBM3E堆栈也正在进行严格的测试，提供量身定制的存储解决方案。搭载于2048位接口的基础芯片上。
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，不同客户将根据自身需求，这一创新之举有望为整个存储行业带来全新的发展机遇。
在技术细节方面，则将在未来几年内面世。
据美光透露，理论带宽更是达到了每堆栈1.64TB/s的惊人水平。更引人注目的是，以及Nvidia的Blackwell B300系列计算GPU，据国际科技媒体Wccftech报道，这些定制化的逻辑芯片将由台积电采用先进的生产工艺制造，