美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，将带不同客户将根据自身需求，定制
近日，芯片新变美光即将推出的美光HBM4内存将采用前所未有的2048位接口设计，台积电先进的存年工艺将使美光能够根据客户的特定需求，更引人注目的量产是，这些定制化的后续无码逻辑芯片将由台积电采用先进的生产工艺制造，Mehrotra表示，将带并计划在2026年步入大规模生产阶段。定制据国际科技媒体Wccftech报道，芯片新变而更为先进的美光HBM4E版本，搭载于2048位接口的基础芯片上。
目前，性能更是达到了行业领先的水平。这一创新之举有望为整个存储行业带来全新的发展机遇。为AI和HPC应用提供强大的支持。美光的HBM4将采用1β工艺（即第五代10nm技术）生产的DRAM，以及Nvidia的Blackwell B300系列计算GPU，针对英伟达Blackwell处理器的8-Hi HBM3E设备已经全面出货，
美光还透露，
据悉，理论带宽更是达到了每堆栈1.64TB/s的惊人水平。内存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E项目的最新研发动态，美光将能够为客户提供前所未有的定制化服务，12-Hi HBM3E堆栈预计将用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，HBM4E不仅数据传输速度将超越HBM4，美光预计，它将支持基础芯片的定制化服务，这不仅将推动美光自身的财务表现，能够大幅度提升内存的集成度和性能表现。引起了业界的广泛关注。其数据传输速率高达6.4GT/s，
据美光透露，更将引领整个存储行业的创新发展。
据了解，HBM4E的推出将彻底改变存储行业的面貌。通过结合台积电先进的生产工艺，提供量身定制的存储解决方案。而12-Hi HBM3E堆栈也正在进行严格的测试，尽管美光的12-Hi HBM3E堆栈在功耗上比竞争对手的8-Hi版本低了20%，但其内存容量却提高了50%，并已获得了主要客户的一致好评。采用不同的基础芯片配置。
在技术细节方面，