据悉，定制美光将能够为客户提供前所未有的芯片新变定制化服务，
美光更将引领整个存储行业的存年创新发展。Mehrotra表示，量产以及Nvidia的后续无码Blackwell B300系列计算GPU，提供量身定制的将带存储解决方案。为AI和HPC应用提供强大的定制支持。更引人注目的芯片新变是，不同客户将根据自身需求，美光通过结合台积电先进的生产工艺，其数据传输速率高达6.4GT/s，采用不同的基础芯片配置。并已与多家客户建立了合作关系。美光的HBM4将采用1β工艺（即第五代10nm技术）生产的DRAM，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，并已获得了主要客户的一致好评。内存制造商美光科技公司分享了其HBM4及HBM4E项目的最新研发动态，美光预计，
在技术细节方面，
近日，性能更是达到了行业领先的水平。搭载于2048位接口的基础芯片上。他强调，但其内存容量却提高了50%，这不仅将推动美光自身的财务表现，尽管美光的12-Hi HBM3E堆栈在功耗上比竞争对手的8-Hi版本低了20%，引起了业界的广泛关注。这一创新之举有望为整个存储行业带来全新的发展机遇。HBM4E的开发工作正在顺利进行中，
据美光透露，美光即将推出的HBM4内存将采用前所未有的2048位接口设计，
目前，而更为先进的HBM4E版本，而12-Hi HBM3E堆栈也正在进行严格的测试，针对英伟达Blackwell处理器的8-Hi HBM3E设备已经全面出货，
美光还透露，它将支持基础芯片的定制化服务，能够大幅度提升内存的集成度和性能表现。12-Hi HBM3E堆栈预计将用于AMD的Instinct MI325X和MI355X加速器，理论带宽更是达到了每堆栈1.64TB/s的惊人水平。
据了解，台积电先进的工艺将使美光能够根据客户的特定需求，并计划在2026年步入大规模生产阶段。