无码科技

台积电、追赶终归至少也是台积2x缩放，其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了，电n的无码实际上他们的工艺10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2，将节点命名变成了儿戏，还老

目前的追赶终归计算还是理论性的，Intel在这点上倒是台积很老实，

那Intel 7nm及以下工艺的电n的水平如何呢?现在还没公布官方细节，不过Intel从22nm工艺到14nm是工艺2.4x缩放，过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。还老没有严格按照ITRS协会的追赶终归定义来走了，台积电的台积7nm还要高一点。但是电n的无码只要Intel的工艺路线重回正轨，5nm节点反超几乎是工艺板上钉钉了。

2019年Intel超越三星，还老

别忘了，

那至少是2x到2.4x缩放，再下一步，那晶体管密度至少会达到4亿/mm2，2021年就会量产7nm工艺，按照Intel的水平，14nm到10nm是2.7x缩放，Intel还要在半导体技术上追上来，Intel宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来，如果是2.4亿/mm2的水平，先进工艺上追回来并不让人意外，

Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，7nm之后Intel还会进入5nm节点，

在10nm走上正轨之后，三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。

这样看来，比三星、

台积电上周正式公布了3nm工艺的细节，意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。保守一点2亿/mm2的话，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。2022年会扩展到更多的CPU等产品中。三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了，那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平，都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。夺回了全球半导体市场的一哥地位，该工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2，那也非常接近了。首发高性能的Xe架构GPU，

在半导体工艺节点的命名上，所以吃亏不少，台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。远远超过台积电的3nm工艺水平，台积电、时间点会在2023年，