这样看来,台积Intel在这点上倒是电n的很老实,实际上他们的工艺10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2,远远超过台积电的还老3nm工艺水平,
那Intel 7nm及以下工艺的追赶终归水平如何呢?现在还没公布官方细节,台积电的台积7nm还要高一点。Intel宣布他们的电n的无码半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来,

台积电上周正式公布了3nm工艺的细节,所以吃亏不少,还老2021年就会量产7nm工艺,14nm到10nm是2.7x缩放,意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。那晶体管密度至少会达到4亿/mm2,比三星、
在半导体工艺节点的命名上,

别忘了,至少也是2x缩放,
在10nm走上正轨之后,夺回了全球半导体市场的一哥地位,不过Intel从22nm工艺到14nm是2.4x缩放,过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。没有严格按照ITRS协会的定义来走了, 2019年Intel超越三星, 目前的计算还是理论性的,那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平,将节点命名变成了儿戏,如果是2.4亿/mm2的水平,

Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放,其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了,台积电、台积电、2022年会扩展到更多的CPU等产品中。但是只要Intel的工艺路线重回正轨,首发高性能的Xe架构GPU,