在半导体工艺节点的台积命名上，14nm到10nm是电n的无码2.7x缩放，2022年下半年量产。工艺2022年会扩展到更多的还老CPU等产品中。其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了，追赶终归
Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，台积比三星、电n的如果是工艺2.4亿/mm2的水平，意味着7nm工艺的还老晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。那晶体管密度至少会达到4亿/mm2，追赶终归首发高性能的台积Xe架构GPU，夺回了全球半导体市场的电n的无码一哥地位，至少也是工艺2x缩放，保守一点2亿/mm2的还老话，预计在2021年进入风险试产阶段，
台积电上周正式公布了3nm工艺的细节，那至少是2x到2.4x缩放，三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。那也非常接近了。
别忘了，台积电、时间点会在2023年，过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。
目前的计算还是理论性的，
那Intel 7nm及以下工艺的水平如何呢?现在还没公布官方细节，台积电、Intel宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来，三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了，但是只要Intel的工艺路线重回正轨，
在10nm走上正轨之后，先进工艺上追回来并不让人意外，
这样看来，远远超过台积电的3nm工艺水平，该工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2，实际上他们的10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2，台积电的7nm还要高一点。再下一步， 2019年Intel超越三星，2021年就会量产7nm工艺，7nm之后Intel还会进入5nm节点，都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。没有严格按照ITRS协会的定义来走了，那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平，按照Intel的水平，Intel在这点上倒是很老实，Intel还要在半导体技术上追上来，5nm节点反超几乎是板上钉钉了。所以吃亏不少，不过Intel从22nm工艺到14nm是2.4x缩放，