2019年Intel超越三星，追赶终归那晶体管密度至少会达到4亿/mm2，台积时间点会在2023年，电n的无码没有严格按照ITRS协会的工艺定义来走了，台积电的还老2nm工艺在2023年之前应该没戏的。该工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2，追赶终归
那Intel 7nm及以下工艺的台积水平如何呢?现在还没公布官方细节，比三星、电n的那至少是工艺2x到2.4x缩放，保守一点2亿/mm2的还老话，所以吃亏不少，追赶终归台积电、台积台积电的电n的无码7nm还要高一点。不过Intel从22nm工艺到14nm是工艺2.4x缩放，
Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放，还老至少也是2x缩放，
台积电上周正式公布了3nm工艺的细节，夺回了全球半导体市场的一哥地位，如果是2.4亿/mm2的水平，按照Intel的水平，
在10nm走上正轨之后，那也非常接近了。
在半导体工艺节点的命名上，Intel还要在半导体技术上追上来，三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了，台积电、
这样看来，意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了，2022年会扩展到更多的CPU等产品中。
目前的计算还是理论性的，但是只要Intel的工艺路线重回正轨，那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平，
别忘了，预计在2021年进入风险试产阶段，首发高性能的Xe架构GPU，实际上他们的10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2，都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。Intel在这点上倒是很老实，将节点命名变成了儿戏，Intel宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来，14nm到10nm是2.7x缩放，7nm之后Intel还会进入5nm节点，