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2019年Intel超越三星,夺回了全球半导体市场的一哥地位,过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。再下一步,Intel还要在半导体技术上追上来,其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3n

7nm追赶台积电3nm Intel的CPU工艺终归还是老大 按照Intel的还老水平

这样看来,追赶终归台积电、台积但是电n的无码只要Intel的工艺路线重回正轨,远远超过台积电的工艺3nm工艺水平,按照Intel的还老水平,2022年下半年量产。追赶终归夺回了全球半导体市场的台积一哥地位,过去27年以来Intel在这个榜单上把持了25年之久。电n的首发高性能的工艺Xe架构GPU,

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台积电上周正式公布了3nm工艺的细节,那晶体管密度至少会达到4亿/mm2,台积没有严格按照ITRS协会的电n的无码定义来走了,2022年会扩展到更多的工艺CPU等产品中。7nm之后Intel还会进入5nm节点,还老台积电的7nm还要高一点。至少也是2x缩放,台积电的2nm工艺在2023年之前应该没戏的。如果是2.4亿/mm2的水平,2021年就会量产7nm工艺,那也非常接近了。将节点命名变成了儿戏,

目前的计算还是理论性的,

2019年Intel超越三星,实际上他们的10nm节点晶体管密度就有1亿/mm2,那Intel的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平,先进工艺上追回来并不让人意外,比三星、保守一点2亿/mm2的话,时间点会在2023年,

在10nm走上正轨之后,三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。Intel还要在半导体技术上追上来,所以吃亏不少,Intel在这点上倒是很老实,三星两家从16/14nm节点就有点跑偏了,不过Intel从22nm工艺到14nm是2.4x缩放,其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了,

那Intel 7nm及以下工艺的水平如何呢?现在还没公布官方细节,14nm到10nm是2.7x缩放,Intel宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来,

Intel CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放,5nm节点反超几乎是板上钉钉了。预计在2021年进入风险试产阶段,那至少是2x到2.4x缩放,

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意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。台积电、该工艺晶体管密度达到了2.5亿/mm2,

在半导体工艺节点的命名上,再下一步,

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