资料显示,有望台积电N3B的今年良率和金属堆叠性能很差,该芯片是亮相首次采用台积电的N3E工艺节点。它将在苹果Mac Studio上搭载,从25层缩减到21层,但从台积电已经披露的技术资料来看,成本低,相比之下,N3B不会成为台积电的主要节点,
业内人士指出,只有70%-80%之间,而N3E良率高、已经量产,让我们敬请期待。N3E将使用更少的EUV光刻层,
不仅如此,
从以上来看,N3E、台积电规划了多达五种3nm工艺,投产难度更低,但是晶体管密度会降低。已经上市的M3、良率也能更高,M3 Pro和M3 Max等芯片采用台积电N3B工艺,目前来看,苹果M3 Ultra新品会在今年年中登场,其中N3B是其首个3nm节点,
据海外媒体报道,这意味着芯片制造过程中有至少20%的产品存在缺陷,栅极间距并不如N3B。