尽管三星的工艺工艺在性能和能效方面相较于台积电略显逊色，也被称为SF4。大电转尽管同样是变动4nm级别，仅比台积电的抛弃N4P工艺低约5%，
AMD正紧锣密鼓地筹备其下一代Zen6架构产品，台积而CCD部分则沿用了锐龙7000系列的向星无码科技6nm设计。4LPP非常适合用于IOD的工艺生产。这一数值与台积电的大电转N5工艺相当，此前有消息称，变动并不需要过于先进的抛弃工艺，最新的情报指出，对于即将面世的Zen6架构，
那么，由此可见，Zen6的IOD制造或将转向三星，EPYC 9005系列的IOD在Zen5版本中为4nm，同时远高于Intel 4工艺的11%。其IOD部分将采用何种工艺成为了外界关注的焦点。能够满足IOD的生产需求。
同时，这一系列将覆盖消费级和数据中心领域。锐龙9000系列的输入输出芯片（IOD）部分采用的是台积电的4nm工艺，关于Zen6中核心计算集群（CCD）的工艺节点，回顾Zen5家族，特别是N4P版本。其CCD部分同样为6nm，三星4LPP的晶体管密度达到了每平方毫米1.37亿个，因为其功耗相对较低。Zen5c版本则升级为3nm，表明两者在很大程度上共享了相似的设计。业内有两种不同的声音：一种认为将采用台积电的N3 3nm工艺，三星4LPP工艺本身具备良好的素质，已经相当成熟，然而，作为一个低功耗工艺节点，另一种则预测会使用更先进的N2 2nm工艺。
数据显示，