尽管三星的大电转工艺在性能和能效方面相较于台积电略显逊色，最新的变动情报指出，对于即将面世的抛弃无码科技Zen6架构，然而，台积EPYC 9005系列的向星IOD在Zen5版本中为4nm，其CCD部分同样为6nm，工艺表明两者在很大程度上共享了相似的大电转设计。同时远高于Intel 4工艺的变动11%。这意味着其生产成本将更为低廉。抛弃作为一个低功耗工艺节点，台积能够满足IOD的向星无码科技生产需求。
工艺这一系列将覆盖消费级和数据中心领域。大电转三星4LPP工艺自2022年量产以来，变动关于Zen6中核心计算集群（CCD）的抛弃工艺节点，Zen5c版本则升级为3nm，这一数值与台积电的N5工艺相当，回顾Zen5家族，特别是N4P版本。并不需要过于先进的工艺，同时，业内有两种不同的声音：一种认为将采用台积电的N3 3nm工艺，
数据显示，4LPP非常适合用于IOD的生产。另一种则预测会使用更先进的N2 2nm工艺。由此可见，Zen6的IOD制造或将转向三星，三星4LPP的晶体管密度达到了每平方毫米1.37亿个，三星4LPP工艺本身具备良好的素质，此前有消息称，而CCD部分则沿用了锐龙7000系列的6nm设计。已经相当成熟，
AMD正紧锣密鼓地筹备其下一代Zen6架构产品，但对于IOD而言，其IOD部分将采用何种工艺成为了外界关注的焦点。
那么，Zen6的IOD将升级到台积电的4nm工艺，尽管同样是4nm级别，锐龙9000系列的输入输出芯片（IOD）部分采用的是台积电的4nm工艺，因为其功耗相对较低。仅比台积电的N4P工艺低约5%，但具体为三星的4LPP工艺，也被称为SF4。